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| - 电色膜和电色器件的光电特性
- 作者：申功烈 来源期刊：真空科学与技术 年卷号：1996,16(1).-46-50
- 摘要：介绍了电子束蒸发沉积ＷＯ３膜在０．５ｍｏｌ／ＬＨ２ＳＯ溶液和ＮｉＯｘ膜在１ｍｏｌＫＯＨ溶液中的电色性能；介绍了沉积到玻璃片上的ＩＴＯ膜作透明导电极、光学上活性的ＷＯ３阴极变色膜作工作电极，光学上活性的ＮｉＯｘ阳极变色膜作反电极（贮存电荷度样的贮存器）１ｍｏｌＬｉＣｌＯ４丙酮溶液的电解质锂离子导体组成的互补型电色器件...
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- 半导体双光子吸收的阈值光强研究
- 作者：张学如 李淳飞 来源期刊：红外与毫米波学报 年卷号：1996,15(4).-309-312
- 摘要：研究非共振条件下光脉冲在半导体中传输引起的非线性吸收动力学过程，在薄样品近似下推导了描术双光子吸收及其诱导自由载流子吸收相对强弱的阈值光强公式，分析了样品厚度对阈值光强的影响，解释ＧａＡｓ双光子吸收系数的测量值在很大范围内变化的主要原因。
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- GaAs／ALGaAs和InGaAs／GaAs窄量子阱中激子线宽与温度的关系
- 作者：金世荣 徐仲英 来源期刊：红外与毫米波学报 年卷号：1996,15(4).-291-296
- 摘要：研究了具有不同阱宽的ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ和ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ窄量子阱结构中激子线宽与温度的关系，发现在低温范围内，声学声子的线性散射系统随着阱宽的减小而增加，对实验结果作了讨论。
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- 计算电子相关能的新方法
- 作者：王雅红 周茂堂 来源期刊：大连轻工业学院学报 年卷号：1996,15(3).-79-82
- 摘要：本文对计算多电子体系电子相关能的物理模型进行更为精细地考虑，提出一套新的计算方法，分别出适用于开、闭壳层多电体系计算电子相关能的理论公式，并编成计算程序，在ＶＡＸ／８５３０机上做了具体计算，计算结果与实验值和精确理论值相符。
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- 特征造型在模具CAD／CAE／CAM中的应用研究
- 作者：傅建 来源期刊：四川工业学院学报 年卷号：1996,15(3).-26-30
- 摘要：特征造型是ＣＡＤ建模的一个新的里程碑。本文以两个典型的模具零件为例，讨论特征造型的重要意义及其相应的数据结构设想；同时，简要介绍目前在特征造型中常用的三种建模方法，以及分析特征造型在模具ＣＡＤ建模工作中的应用前景。
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