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| - 基于相变单元测试的高速可编程脉冲电流源
- 作者：胡佳俊;陈后鹏;王倩;李喜;雷宇;苗杰;... 来源期刊：固体电子学研究与进展 年卷号：2017,37(01):26-31
- 摘要：基于相变单元电压操作的局限性,提出一种电流编程操作的方法。针对纳秒级快速相变的需求,设计了一款高速可编程的脉冲电流源,采用0.35μm标准CMOS工艺。结果显示:在10MHz编程速度的条件下,驱动脉冲电流能够良好地跟随控制信号的脉冲波形;当
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- Ku波段SiGe幅相多功能芯片设计
- 作者：李健康;沈宏昌;陈亮;李晓鹏;童伟;曲俊... 来源期刊：固体电子学研究与进展 年卷号：2017,37(01):15-20
- 摘要：幅相多功能芯片是相控阵雷达的关键部件。为了降低前端收发组件的尺寸和成本,本文采用0.13μm SiGe BiCMOS工艺设计了一款Ku波段幅相多功能芯片,单片集成了接收通道和发射通道,芯片面积2.5 mm×4.5mm。研制的多功能芯片的接收
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- 微流道中消逝场激励的荧光光源研究
- 作者：张远宪;储玉飞;普小云; 来源期刊：光学学报 年卷号：2017,37(01):108-112
- 摘要：将石英裸光纤植入聚二甲基硅氧烷(PDMS)基片的微流道中,采用沿光纤轴向光激励、消逝场激励染料分子的方式,在基片微流道中获得均匀的荧光辐射。实验发现,在激励光强确定的条件下,荧光辐射的强度与染料溶液的浓度呈线性正相关关系,而与包层溶液的折射
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- Ku波段GaN一片式收发组件芯片
- 作者：任春江;彭龙新;戈勤;沈宏昌;潘晓枫;李... 来源期刊：固体电子学研究与进展 年卷号：2017,37(01):1-5+31
- 摘要：报道了一款应用于Ku波段的GaN T/R MMIC。该芯片采用0.15μm GaN HEMT器件工艺制造,集成了T/R组件的接收通道和发射通道,芯片面积7.00mm×3.32mm。研制的MMIC集成了5位数字衰减器、5位数字移相器、前级低噪
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- 电流模式的高阶曲率补偿CMOS带隙基准源
- 作者：张普杰;王卫东;李耀臻; 来源期刊：微型机与应用 年卷号：2017,36(24):16-18+21
- 摘要：因为传统的带隙电压基准源只经过了一阶温度补偿,且输出电压只能在1.2 V左右,所以为了得到一个可调的、更高精度的电压基准源,提出了电流模式的带隙电压基准源电路。电路采用了高阶曲率补偿方法,且输出的基准电压可根据输出电阻的大小进行调节。电路采
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