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| - 微沟槽缺陷的形成与改进
- 作者：戴学春; 来源期刊：集成电路应用 年卷号：2017,34(12):47-50
- 摘要：随着集成电路密度的不断提高,多晶硅栅的线宽不断变小,栅氧化层的厚度继续变薄,多晶硅的刻蚀变得越来越关键。多晶硅栅的形貌控制,栅氧化层二氧化硅的损失等关键特征已经被普遍关注。多晶硅刻蚀中的另一种现象:微沟槽缺陷(microtrench def
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- 亚微米BiCMOS[B]芯片与制程剖面结构
- 作者：潘桂忠; 来源期刊：集成电路应用 年卷号：2017,34(12):42-46
- 摘要：亚微米BiCMOS[B]技术能够实现双极型与CMOS元器件兼容的工艺。为了便于集成,采用双极型制程为基础,引入CMOS元器件工艺,在同一硅衬底上实现兼容的BiCMOS[B]工艺。这是采用亚微米Bi CMOS[B]集成电路芯片结构设计、工艺与
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- FPGA芯片设计及其应用分析
- 作者：揭应平; 来源期刊：集成电路应用 年卷号：2017,34(12):37-41
- 摘要：FPGA设计不是研发FPGA芯片,而是用FPGA做产品设计。FPGA从诞生起,就注定和ASIC站在不同的阵营。对于FPGA来说,应用的第一大领域是通讯设备。作者分析了全球主要FPGA产品的供应商市场份额对比。从SWOT四个维度分析当前国内发
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- 人工智能时代的芯片设计思路转变
- 作者：Ed Sperling; 来源期刊：集成电路应用 年卷号：2017,34(12):29-32
- 摘要：现在整个半导体生态系统都在发生改变,这些改变表明芯片制造商进入市场的方式和对他们而言重要的因素都在发生根本性转变。赢得一个市场的最好方法并不一定要使用最快或最有功率效率的通用处理器。IP供应商在选择工艺节点上越来越谨慎。在终端市场也有很多不
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- NBTI效应对时钟树门控时钟偏移的影响
- 作者：陈寿面;李小进; 来源期刊：集成电路应用 年卷号：2017,34(12):24-28
- 摘要：负偏压不稳定性(NBTI)会造成PMOS器件退化,导致电路性能下降。时钟树网络是同步时序电路的关键,随着电路工作时间推移,NBTI会造成时钟树时钟偏移改变,降低时序电路的整体性能,严重造成电路失效。依据40 nm CMOS工艺NBTI反应/
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