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| - N-Well BiCMOS[B]芯片与制程剖面结构
- 作者：潘桂忠; 来源期刊：集成电路应用 年卷号：2017,34(11):42-46
- 摘要：N-Well BiCMOS[B]技术能够实现双极型与CMOS元器件兼容的工艺。为了便于集成,采用双极型制程为基础,引入CMOS元器件工艺,在同一硅衬底上实现兼容的Bi CMOS[B]工艺。采用Bi CMOS[B]集成电路芯片结构设计、工艺与
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- 全耗尽绝缘硅FD-SOI工艺技术的特点分析
- 作者：孔文; 来源期刊：集成电路应用 年卷号：2017,34(11):38-41
- 摘要：在先进的IC制造工艺方面,由Intel主导的Fin FET一直大行其道。而最近这几年,SOI,包括FD-SOI和RF-SOI越来越受到人们的关注,特别是随着物联网和5G时代的到来,其技术优势和应用前景也越发地被看好。在应用层面,总的来说,F
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- 多功能键合仪研制及在教学中的应用
- 作者：王蔚;封迪;田丽; 来源期刊：实验技术与管理 年卷号：2017,34(11):35-38+90
- 摘要：对硅/玻璃阳极键合进行了实验技术研究,阐述了实验设计思路;确定了实验的内容和方法,据此研制出能直观显示硅/玻璃界面键合情况以及键合电流-时间曲线的多功能键合实验仪。通过键合操作、现象观察和深入分析,使学生更加深入了解键合机理、掌握影响键合效
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- 英特尔10 nm超微缩技术与22FFL技术分析
- 作者：Mark Bohr; 来源期刊：集成电路应用 年卷号：2017,34(11):23-29
- 摘要：2017年英特尔精尖制造日活动在北京举行。英特尔高级院士、技术与制造事业部制程架构与集成总监Mark Bohr先生认为摩尔定律没有失效。他的话题就是摩尔定律继续向前。英特尔的逻辑单元超微缩技术使得芯片面积大大减少,单个晶体管的成本大大降低。
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- 三维集成中的TSV技术
- 作者：张宁; 来源期刊：集成电路应用 年卷号：2017,34(11):17-22
- 摘要：近几年,硅通孔(through-silicon vias,TSV)技术发展迅速,拥有着低功耗、小外形、高性能和高堆叠密度等优势的它得到工业界的广泛认可,具有延续摩尔定律发展的潜力。本文中作者介绍了TSV的工艺流程和关键技术,对蚀刻、分离、金
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