|
| - 常用逻辑门芯片测试装置研究与设计
- 作者：刘艳;唐海贤;景昊;张斌;高茜; 来源期刊：实验技术与管理 年卷号：2017,34(01):94-97+103
- 摘要：结合数字电路相关课程的改革,针对数字电路中常用的74/54系列逻辑门芯片,研究并设计了一种基于单片机最小系统的常用逻辑门芯片测试装置。该装置为电子技术相关理论和实践教学提供了快速、直观、稳定的测试方式,提高了实验室芯片检测的效率与准确率,同
-
- 基于二分图极大权值匹配的SoC故障定位算法研究
- 作者：张鹏;朱利;杜小智; 来源期刊：计算机应用研究 年卷号：2017,34(01):79-82
- 摘要：针对故障传播给故障定位带来的影响,考虑SoC功能测试系统中的故障源与故障事件之间的不确定性,提出一种基于二分图的故障定位算法。从SoC中抽象出特定的硬件模块,由这些模块构成故障源,结合相应的故障事件组合成二分图,在二分图的基础上生成一种适用
-
- 一种基于遗传算法的多IP核并行测试方法
- 作者：谈恩民;贾亚平; 来源期刊：微电子学与计算机 年卷号：2017,34(01):71-75
- 摘要：针对现有SoC测试方法所需测试时间过长的问题,提出了一种基于遗传算法的多IP核并行测试方法.该方法主要是在功耗约束的情况下,通过遗传算法将尽可能多的IP核的测试数据压缩,即IP核的测试数据相同的位接到同一根总线数据位,使每次并行测试的IP核
-
- 碱性黄作为整平剂的微盲孔铜电镀填充
- 作者：祝汉品;王继杰;刘春忠;祝清省; 来源期刊：沈阳航空航天大学学报 年卷号：2017,34(01):57-64
- 摘要：使用一种新型添加剂—碱性黄(Basic Yellow,BY)作为整平剂进行微盲孔铜电镀填充。通过微孔填充组织观察以及旋转圆盘电极电化学测试,考察该整平剂的微孔填充性能,分析该整平剂与抑制剂、加速剂之间的协同和竞争吸附行为,揭示其在微孔填充中
-
- 浅析7nm之后的工艺制程的实现
- 作者：Mark LaPedus; 来源期刊：集成电路应用 年卷号：2017,34(01):50-53
- 摘要：近来,Global Foundries宣布将会推进7 nm Fin FET工艺,引发了行业对工艺节点、光刻等技术的探讨。这是是来自Semi Engineering年的一篇报道,带领大家了解7 nm工艺及以后的半导体业界的发展方向。
-
|