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| - 基于环形振荡器的时间数字转换器前期研究进展
- 作者：叶棪;韩威力;林福江; 来源期刊：微电子学 年卷号：2017,47(06):876-880
- 摘要：随着CMOS工艺的不断发展,时间数字转换器(TDC)的性能不断提升,被广泛应用于医学成像、激光测距、全数字锁相环等领域。基于环形振荡器的时间数字转换器(RO-TDC)具有动态范围大和分辨率高的优点,已成为目前研究热点。介绍了RO-TDC的工
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- 振动载荷下板级焊点退化状态表征与分析
- 作者：陈垚君;景博;常雅男;盛增津;董佳岩; 来源期刊：微电子学 年卷号：2017,47(06):866-871
- 摘要：为研究振动载荷下板级微互连焊点的退化规律,设计了等幅定频正弦振动试验。采集焊点两端的电压信号,利用退化数据的统计特征对焊点失效过程的电压信号进行阶段划分和趋势拟合。结果表明,焊点的退化数据表征具有健康、轻度失效、重度失效和完全断裂四个阶段。
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- 多核微处理器实速故障诊断研究
- 作者：欧阳晴昊;曾凡仔; 来源期刊：微电子学 年卷号：2017,47(06):861-865+871
- 摘要：针对多核微处理器面临的故障诊断问题,提出了一种基于带压缩扫描链的多核微处理器实速故障诊断方法。综合机台测试和软件诊断,在一种流片后的高速多核微处理器芯片上实现了诊断流程,验证了该方法对于故障诊断定位的有效性。通过故障定位可以加速机台测试调试
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- PMOS管工艺参数对反相器SET效应的影响
- 作者：朱佳琪;袁波;吴秀龙; 来源期刊：微电子学 年卷号：2017,47(06):842-846
- 摘要：研究了体硅CMOS工艺下数字集成电路的抗辐照特性。利用Synopsys公司的三维半导体器件模拟软件Sentaurus,对数字集成电路中的反相器电路进行单粒子瞬态(SET)效应仿真,分析PMOS管的各种工艺参数对反相器SET效应产生的脉冲电压
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- 基于复合介质层材料的硅通孔热结构耦合分析
- 作者：赵健;崔玉强;焦科名; 来源期刊：微电子学 年卷号：2017,47(06):837-841+846
- 摘要：硅通孔(TSV)技术是三维封装的关键技术,对三维IC的可靠性起决定性作用。基于ANSYS Workbench平台,通过有限元仿真对退火阶段的TSV模型进行热结构耦合分析。比较了二氧化硅(SiO2)介质层与苯并环丁烯(BCB)介质层在不同负载
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