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| - 一种低电压超低功耗动态锁存比较器
- 作者：张章;丁婧;金永亮;解光军; 来源期刊：微电子学 年卷号：2017,47(06):756-759+764
- 摘要：提出了一种低电压超低功耗动态锁存比较器。采用了自适应双重衬底偏压技术,在适当时间将比较器进行顺向衬底偏压与零衬底偏压的切换,以取得功耗延时积(PDP)的优势最大化。为解决比较器不工作时静态功耗较大的问题,提出了一种关断结构。该比较器基于SM
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- 智能汽车关键芯片技术发展研究
- 作者：王骏成;郝思淳; 来源期刊：现代电信科技 年卷号：2017,47(05):9-14
- 摘要：基于国内外智能汽车芯片产业的整体情况,结合车联网、自动驾驶、新能源汽车对智能汽车功能应用和芯片的需求,分析传感、通信、导航、处理、控制、电源管理芯片和功率器件等智能汽车关键芯片技术的发展现状和趋势,我国智能汽车芯片与国外的差距以及面临的挑战
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- 外来物导致的塑封器件金属化层损伤机理分析
- 作者：梁栋程;刘云婷;何志刚;王晓敏;王聪;唐... 来源期刊：微电子学 年卷号：2017,47(05):729-732
- 摘要：对塑封器件进行破坏性物理分析(DPA),发现有样品芯片表面存在金属化层损伤。对损伤部位进行背散射电子成像和能谱分析,确定损伤部位存在钢颗粒。结合塑封封装工艺环节进一步分析损伤形貌,结果表明钢颗粒来源于塑封模具破损或老化,在环氧固化过程中产生
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- 单片异质集成技术研究现状与进展
- 作者：吕伟; 来源期刊：微电子学 年卷号：2017,47(05):701-705
- 摘要：异质集成技术是微系统的核心技术,分为混合异质集成技术和单片异质集成技术。单片异质集成技术因具有较高的集成度,逐渐成为研究热点。从两个方面介绍了微系统中单片异质集成技术的研究现状和进展。在微电子器件方面,主要发展方向为Ⅲ-Ⅴ族和Si基CMOS
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- 一种容SEU的新型自恢复锁存器
- 作者：黄正峰;付俊超;欧阳一鸣;闫爱斌;梁华国... 来源期刊：微电子学 年卷号：2017,47(05):685-689+694
- 摘要：针对单粒子翻转(SEU)的问题,提出了一种容SEU的新型自恢复锁存器。采用1P-2N单元、输入分离的钟控反相器以及C单元,使得锁存器对SEU能够实现自恢复,可用于时钟门控电路。采用高速通路设计和钟控设计,以减小延迟和降低功耗。相比于HLR-
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