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| - Xilinx、ARM、Cadence携手台积公司共同构建首款采用7纳米工艺的CCIX测试芯片
- 作者： 来源期刊：单片机与嵌入式系统应用 年卷号：2017,17(10):5
- 摘要：赛灵思、ARM、Cadence和台积公司宣布一项合作,将共同构建首款基于台积7纳米FinFET工艺的支持芯片间缓存一致性(CCIX)的加速器测试芯片,并计划在2018年交付。这一测试芯片旨在从硅芯片层面证明
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- 基于自偏置结构的参考电流源电路
- 作者：李健;李现坤;孙峰;肖培磊;宣志斌; 来源期刊：电子与封装 年卷号：2017,17(10):31-35
- 摘要：在传统参考电流源的基础上,设计了一种结构更为简单,与电源电压、温度无关的参考电流源,并在此基础上进一步优化了自偏置电路镜像电流的精度,更好地提高整个电路的性能。该电路基于SMIC 0.18μm BCD CMOS工艺,使用Cadence仿真软
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- 一种用于ESD保护的SCR触发电路
- 作者：邵红;张森;齐钊;乔明; 来源期刊：电子与封装 年卷号：2017,17(10):26-30
- 摘要：介绍一种检测ESD电压并输出触发或关断信号的电路结构。通过对ESD脉冲的上升沿进行分辨,然后输出触发信号从而触发SCR钳位器件对内部电路进行保护,并在ESD脉冲结束时对脉冲下降沿进行检测,从而输出关断信号关断SCR钳位器件,防止闩锁效应的发
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- 密封可伐外壳的气氛氢逸散行为研究
- 作者：董一鸣;申忠科;梁正苗; 来源期刊：电子与封装 年卷号：2017,17(10):1-5
- 摘要：针对可伐这一重要封装材料的外壳进行了氢逸散行为的研究。对气密性封装内腔的氢来源以及氢的行为机理做了分析,发现可伐基体材料对氢含量的贡献极其重要。电镀及其施加电流是引入氢的一个重要条件,但同时镀层的存在又会大大抑制氢的逸散。
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- 增强版ARM DesignStart_通向定制化SoC的最快、最低风险之路
- 作者： 来源期刊：单片机与嵌入式系统应用 年卷号：2017,17(09):82-83
- 摘要：在过去几年里,ARM DesignStart已经帮助了成千上万的芯片开发者和技术创新者们快速、方便和免费地获取ARM IP。ARM正在加速智能嵌入式设备的创新:显著增强后的DesignStart帮助设计者以最快、最方便的方式获取已获证实的、
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