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| - 一种使沟槽侧角圆滑的新颖STI工艺
- 作者：顾祥;徐海铭;陈海波;吴建伟; 来源期刊：电子与封装 年卷号：2017,17(03):32-35
- 摘要：介绍了一种使沟槽侧角圆滑的STI工艺技术,该技术在沟槽腐蚀完,通过湿法工艺去除部分氮化硅(Nitride Pull back),再正常生长线性氧化层,使槽的侧角更加圆润光滑,同时减小了沟槽Divot深度。该工艺避免了附加高温热过程所导致的缺
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- 基于BCD工艺的模拟多路复用器设计
- 作者：臧凯旋;范晓捷;丁宁; 来源期刊：电子与封装 年卷号：2017,17(03):29-31
- 摘要：基于BCD工艺设计了一款模拟多路复用器。电路支持单电源或双电源供电(单电源2.5~5.5V,双电源±2.5 V),内含32个CMOS开关,通过5~32译码器实现32选1功能。采用SMIC0.18μm BCD工艺流片,电路经测试验证,关键参数
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- 多电源域集成电路静电放电试验方法研究
- 作者：姜汝栋;蔡依林;李小亮; 来源期刊：电子与封装 年卷号：2017,17(03):26-28
- 摘要：随着集成电路技术的发展,电路从原来的单一电源域向多电源域进行转移,而其中的静电放电(ESD)试验是考核集成电路性能的一项重要指标,如何有效选择合适的试验方法变得越来越重要。结合国内外相关静电放电试验标准,研究标准之间存在的相同和不同的地方。
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- 超低温漂带隙基准电压源设计
- 作者：陆锋;葛兴杰; 来源期刊：电子与封装 年卷号：2017,17(03):22-25
- 摘要：在对传统带隙基准电压源进行理论分析的基础上,结合当前IC设计中对基准电压源低温漂、高电源抑制比的要求,设计了一种超低温漂的带隙基准电压源电路。该电路带有启动电路和高阶温度补偿电路。仿真结果表明,在-55~125℃的温度范围内获得了1.65×
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- 基于C8051的片上调试单元设计
- 作者：俞小平;唐映强;李世伟; 来源期刊：电子与封装 年卷号：2017,17(03):19-21+25
- 摘要：随着半导体工艺与集成电路技术的快速发展,微处理器的集成度越来越高,在设计中开发比较大的应用程序时,强劲的调试手段是非常重要的。当bug复杂到无法分析时,只能用调试来追踪它,集成片上调试功能更显得尤为重要。基于C8051 IP设计了一个片上调
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