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  • 0.18 μm CMOS器件SEL仿真和设计
  • 作者:李燕妃;吴建伟;谢儒彬;洪根深;    来源期刊:电子与封装    年卷号:2017,17(02):43-47
  • 摘要:宇宙空间存在大量高能粒子,这些粒子会导致空间系统中的CMOS集成电路发生单粒子闩锁。基于0.18μm CMOS工艺,利用TCAD器件模拟仿真软件,开展CMOS反相器的单粒子闩锁效应研究。结合单粒子闩锁效应的触发机制,分析粒子入射位置、工作电

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  • 夹层式叠层芯片引线键合技术及其可靠性
  • 作者:常乾;朱媛;曹玉媛;丁荣峥;    来源期刊:电子与封装    年卷号:2017,17(02):4-8
  • 摘要:随着电子封装技术的快速发展,叠层封装成为一种广泛应用的三维封装技术,该技术能够满足电子产品高性能、轻重量、低功耗、小尺寸等日益增长的需求。针对陶瓷封装腔体中的夹层式叠层芯片结构,键合点与键合引线处于陶瓷外壳空腔中,未有塑封料填充固定,区别于

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  • 低功耗基准电压源的设计与实现
  • 作者:杨金亮;李天生;    来源期刊:温州职业技术学院学报    年卷号:2017,17(02):38-41+55
  • 摘要:为实现低压低功耗的要求,利用E/D NMOS阈值电压皆为负温度系数的特点,设计一种参考电压为增强型、耗尽型NMOS阈值差的低功耗基准电压源。通过电路参数的设计,使参考电压的温度系数趋近于0,采用2个串联的电阻作为输出级,使参考电压方便可调,

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  • 编程MTM反熔丝的特征电压研究
  • 作者:徐海铭;顾祥;    来源期刊:电子与封装    年卷号:2017,17(02):37-39
  • 摘要:研究了不同MTM反熔丝材料的特征电压,发现特征电压不受电极材料影响而变化。电热模型理论在硅极反熔丝编程模型中得到进一步诠释和扩展,其中MTM反熔丝编程电阻与编程电流的关系也符合魏德曼-费尔兹定律。

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  • 一种新型PTFE覆铜板的精细图形制作前处理工艺优化
  • 作者:赵丹;邹嘉佳;范晓春;管美章;    来源期刊:电子与封装    年卷号:2017,17(02):33-36
  • 摘要:精细图形制作的前处理工艺对印制电路板的铜表面粗糙度影响很大。对一款新开发的PTFE覆铜板表面采取机械磨刷、喷砂研磨、化学微蚀3种前处理工艺,通过SEM及粗糙度结果分析了处理后铜面的粗化效果。结果表明,化学微蚀前处理方式有利于获得较好的铜面外

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