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  • 基于旁路电阻的DIPIPM~(TM)短路保护设计
  • 作者:黄红光;何洪涛;王小岭;宋高升;    来源期刊:电力电子技术    年卷号:2016,50(05):102-104
  • 摘要:DIPIPM~(TM)是针对家用电器及小功率工业应用的双列直插式智能功率模块(IPM)。目前DIPIPM~(TM)主要有大型DIPIPM~(TM)、小型DIPIPM~(TM)及超小型DIPIPM~(TM)等三大系列产品。短路故障是导致功率器

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  • 抗单粒子翻转的高可靠移位寄存器设计
  • 作者:苏梦瑶;陈旭斌;邱仅朋;王志宇;刘家瑞;...    来源期刊:浙江大学学报(工学版)    年卷号:2016,50(04):792-798
  • 摘要:为了提高传统移位寄存器的可靠性和耐辐射性,提出抗单粒子翻转(SEU)的高可靠移位寄存器.该设计基于TSMC 0.18μm 1.8V1P5M工艺,利用双边复位、位线分离和三模冗余技术,设计双边上电复位(POR)和SEU加固双互锁存储单元(DI

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  • 时钟数据恢复电路中的线性相位插值器
  • 作者:张瑶;张鸿;李梁;杜鑫;程军;    来源期刊:西安交通大学学报    年卷号:2016,50(02):48-54
  • 摘要:针对时钟数据恢复电路(CDR)中相位插值器的非线性使得时钟抖动增大的问题,提出了一种基于非等值电流源阵列的线性相位插值器。根据插值器输出时钟相位与尾电流权重的反函数关系,在传统相位插值器的基础上调整尾电流阵列中每个电流源的设计比例,并将控制

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  • 考虑氧化作用的CMP接触去除模型分析
  • 作者:蔡攀攀;林有希;任志英;林春生;    来源期刊:工具技术    年卷号:2016,50(02):11-16
  • 摘要:针对目前大多数化学机械抛光(CMP)材料去除模型没有考虑到氧化薄膜作用的现象,提出一种考虑氧化后的芯片与磨粒之间的接触模型,该模型的建立基于接触力学理论和接触微凸体由弹性变形向弹塑性变形及最终向完全塑性变形的转化过程,并将该模型与传统的塑性

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  • PCB Layout对电子产品EMC性能的影响
  • 作者:杨春宇;严赫;王嘉;    来源期刊:电力电子技术    年卷号:2016,50(02):101-105
  • 摘要:介绍了印制电路板(PCB)与外部电路、PCB内部之间的信号耦合,分析得出:PCB级电磁兼容性(EMC)设计的关键是板内信号参考地的设计。以双面板为例阐述了多层板进行叠层安排设计时应遵循的原则,给出了利用PCB Layout来控制PCB中关键

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