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| - 一种可修调的高精度低温漂带隙基准电压源
- 作者：支知渊;唐威;魏海龙;季赛健;尤路; 来源期刊：微电子学 年卷号：2016,46(06):746-749+753
- 摘要：设计了一种可修调的高精度、低温漂、高电源电压抑制比的高阶温度补偿带隙基准电压源。在Brokaw型带隙基准电路结构的基础上,采用多晶硅电阻负温度系数补偿技术,可实现2阶曲率温度补偿,减小了基准电压的温漂;设计了电阻修调网络,保证了基准电压的高
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- 一种高性能超低功耗亚阈值基准电压源
- 作者：朱智勇;段吉海;邓进丽;韦雪明;向指航; 来源期刊：微电子学 年卷号：2016,46(06):740-745
- 摘要：设计了一种超低功耗、无片上电阻、无双极型晶体管的基于CMOS亚阈值特性的基准电压源。采用Oguey电流源结构来减小静态电流,从而降低功耗,并加入工作于亚阈值区的运算放大器,在保证低功耗的前提下,显著提高了电源电压抑制比。采用1.8V MOS
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- 一种宽温范围高稳定CMOS带隙基准源
- 作者：冯春燕;翟江辉;李海鸥;郭建;杨年炯;李... 来源期刊：微电子学 年卷号：2016,46(06):736-739+745
- 摘要：在传统带隙基准源的基础上,设计了一种在极宽温度范围内具有高温度稳定性的CMOS带隙基准电路。该电路将三极管的集电极置于负反馈环路中,以避免三极管基极分流对集电极电位的影响,实现温度补偿。通过采用低电源抑制比(PSRR)的差分运放,可以得到不
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- 高功率单相桥模块封装热特性研究及优化
- 作者：王宁;宋海洋;魏家行;刘斯扬;孙伟锋;朱... 来源期刊：东南大学学报(自然科学版) 年卷号：2016,46(05):928-933
- 摘要：为了提升高功率应用下单相桥模块的热可靠性,利用有限元仿真分析方法,研究了模块的封装热特性,并与实测结果进行比较,验证了模型求解的准确性和可靠性.结果表明:单相桥模块结壳热阻为0.185 3℃/W,封装7层结构中直接覆铜基板(DBC)陶瓷层占
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- 一种瞬态增强无片外电容LDO电路
- 作者：周杭军;陈志铭;王兴华; 来源期刊：微电子学 年卷号：2016,46(05):655-658
- 摘要：基于CSMC 0.18μm工艺,设计了一款瞬态增强的无片外电容LDO。设计误差放大器时,采用改进的第2级放大器提高功率管栅端的充放电速度,从而提高瞬态响应。采用嵌套密勒补偿方式来保证LDO的稳定性。仿真结果表明,输入电压为2~4.5V时,L
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