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  • CMOS中频数字接收机片上系统的设计与实现
  • 作者:邓军;张颜林;刘林涛;黄旭;陶毅;    来源期刊:微电子学    年卷号:2016,46(05):581-584
  • 摘要:随着CMOS工艺技术的进步,集成化、小型化成为电子器件的发展趋势。提出了一种基于CMOS工艺的中频数字接收机片上系统(SoC)方案,实现了将射频接收前端、A/D转换器(ADC)、数字下变频器(DDC)和数字基带处理器集成在一个芯片上。该芯片

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  • 45°准同轴微波多层过孔TDR仿真技术
  • 作者:杨涛;宋庆辉;杜江坤;    来源期刊:无线电工程    年卷号:2016,46(05):56-59
  • 摘要:准同轴微波多层过孔是微波多层印制技术中常用的跨层互连形式,当互连结构较为复杂时,其微波性能会对系统指标构成较大影响,目前研究微波过孔的手段还主要局限于理论推导和频域仿真。首次使用TDR仿真技术,对45°准同轴微波多层过孔进行了建模、仿真和分

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  • 导电胶粘接元件接触电阻的稳定性研究
  • 作者:肖玲;何万波;    来源期刊:微电子学    年卷号:2016,46(04):576-580
  • 摘要:为解决导电胶粘接元件接触电阻不稳定的问题,研究了在温度及压力应力条件下,导电胶在不同界面的导电性和体电阻率的变化情况,分析了导电胶接触电阻不稳定的机理。试验结果表明,导电胶粘接片式元件的接触电阻的稳定性不仅与工艺加工过程有关,而且与元件端头

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  • 一种新型低漏电ESD电源箝位电路
  • 作者:李晓云;陈后鹏;李喜;王倩;张琪;范茜;...    来源期刊:微电子学    年卷号:2016,46(04):572-575
  • 摘要:在到达纳米级工艺后,传统的静电放电防护(ESD)电源箝位电路的漏电对集成电路芯片的影响越来越严重。为降低漏电,设计了一种新型低漏电ESD电源箝位电路,该箝位电路通过2个最小尺寸的MOS管形成反馈来降低MOS电容两端的电压差。采用中芯国际40

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  • 一种高性能低功耗SEU免疫锁存器
  • 作者:黄正峰;钱栋良;彭小飞;欧阳一鸣;易茂祥...    来源期刊:微电子学    年卷号:2016,46(04):524-529
  • 摘要:为了缓解瞬态故障引发的软错误,提出一种对单粒子翻转完全免疫的加固锁存器。该锁存器使用4个输入分离的反相器构成双模互锁结构,使用具有过滤瞬态故障能力的C单元作为输出级,采用快速路径设计和钟控设计以提升速度和降低功耗。Hspice仿真结果表明,

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