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| - 6.25 Gb_s快速锁定时钟数据恢复电路
- 作者：钟威;刘尧;陈书明; 来源期刊：微电子学 年卷号：2016,46(04):454-457+462
- 摘要：基于65nm CMOS工艺,设计了一种6.25Gb/s时钟数据恢复电路(CDR)。该CDR采用基于相位插值的双环结构和带有快速锁定算法的2阶积分环路实现,支持半速、全速、倍速3种工作模式。其抖动传输带宽在2~7MHz范围内可调,相位插值精度
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- 一种高线性度相位插值器
- 作者：牛晓良;王征晨;桂小琰; 来源期刊：微电子学 年卷号：2016,46(04):441-444
- 摘要：设计并实现了一种高线性度相位插值器。分析了相位插值器的工作原理和传统相位插值器结构,以此为基础,提出了一种具有高线性度的相位插值器电路。该电路采用TSMC 90nm CMOS工艺进行设计,后仿真结果表明本设计的相位插值器具有良好的线性度,整
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- 宽带电台中的CMOS自动增益控制设计
- 作者：赵思棋;李斌; 来源期刊：无线电工程 年卷号：2016,46(03):79-82
- 摘要：自动增益控制(AGC)环路能够实现对输出信号幅度的精确控制,是射频接收器中不可或缺的一部分。提出了一种用于射频宽带电台中的自动增益控制环路。针对自动增益控制环路,从可编程增益放大器(PGA)、可变增益放大器(VGA)和峰值比较器3个角度论述
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- 0.35μm SiGe BiCMOS隔离深槽表面形貌研究
- 作者：徐婉静;朱坤峰;杨永晖;任芳;黄东;梁柳... 来源期刊：微电子学 年卷号：2016,46(03):407-411
- 摘要：针对0.35μm SiGe BiCMOS工艺,对隔离深槽表面形貌进行了研究。仿真及工艺结果表明,多晶硅回刻残留厚度h_2、深槽顶部开口宽度W_(tp)以及刻蚀掩蔽氧化层残留厚度h_3是影响深槽表面形貌的主要因素;当h_2=220nm,W_(
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- 基于信息论的高容错MRF电路的供电电压分析
- 作者：李晓倩;胡剑浩;李妍; 来源期刊：中国科学:信息科学 年卷号：2016,46(03):404-416
- 摘要：低功耗技术是当前研究热点,尤其对于手持移动设备,其重要性更为突出.降低电压是降低功耗最直接有效的方式之一,传统CMOS(complementary metal oxide semiconductor)电路在低电压条件下已无法正常工作,而基于
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