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  • 一种带曲率补偿的高精度带隙基准源
  • 作者:李连辉;段吉海;徐卫林;    来源期刊:微电子学    年卷号:2016,46(03):315-319
  • 摘要:基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一款低温漂高PSRR的带隙基准电压源。采用全新的曲率补偿电路架构,使输出基准电压源具有超低温漂系数。采用共源共栅电流镜带负反馈的结构,提高了核心电路的PSRR。利用Cadence Spectr

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  • 一种高低温高阶曲率补偿带隙基准源
  • 作者:张华拓;张国俊;    来源期刊:微电子学    年卷号:2016,46(03):311-314
  • 摘要:设计了一种高低温的高阶曲率补偿带隙基准源。利用VBE的负温度系数特性,分别在高温和低温时使双极型晶体管(BJT)导通,通过BJT的集电极电流产生与温度成指数关系的电压,对基准电压进行补偿,达到高阶补偿的效果。同时,带隙基准电压源采用调节电阻

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  • 单粒子翻转加固锁存器分析与辐照试验验证
  • 作者:李天文;杨海钢;蔡刚;李悦;卢凌云;    来源期刊:微电子学    年卷号:2016,46(02):261-266
  • 摘要:对目前基于软错误屏蔽、施密特触发及双互锁单元结构的几种单粒子翻转加固锁存器进行分析,并从面积、延时、功耗和抗单粒子翻转能力等方面进行综合比较。着重剖析了DICE结构的多节点翻转特性,研究了敏感节点隔离对抗单粒子翻转能力的影响,设计了测试芯片

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  • 采用相邻采样求和的突发模式相位插值型CDR
  • 作者:覃林;黄鲁;傅忠谦;    来源期刊:微电子学    年卷号:2016,46(02):247-250
  • 摘要:提出了一种具有良好抑制输入数据抖动性能的突发模式相位插值型时钟数据恢复电路。在传统相位插值型电路结构的基础上,在采样保持电路与相位插值电路之间加入一级求和电路,理论分析和仿真结果表明,恢复时钟相位变化受输入数据抖动的影响明显减小。电路基于1

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  • 一种D波段平行微带线90°相位反相器
  • 作者:陈鹏伟;何进;罗将;王豪;常胜;黄启俊;    来源期刊:微电子学    年卷号:2016,46(02):243-246
  • 摘要:基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺,设计了一款D波段的并行微带线90°相位反相器,它由一个180°核心反相器和带有两个并列双地槽的平行微带线构成。采用两侧带有并列双地槽的平行微带线结构可以有效地改善该90°反相器的阻抗匹配和能量损

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