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| - 半导体设计前端突出差异化 工艺向10nm以下进发——专访ICCAD 2015与会8位著名EDA、Fo...
- 作者：杨庆广; 来源期刊：电子技术应用 年卷号：2016,42(01):1-2+4
- 摘要：伴随着IP应用日渐普遍,半导体产业面临着同质化竞争的问题,同时随着工艺向28 nm乃至10 nm以下发展,设计日趋复杂,同时设计成本也在急速上升,这也对产业发展带来了新的挑战。如何应对这些挑战,《电子技术应用》记者在ICCAD2015上采访
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- Cu CMP工艺对薄膜介电常数的影响机制
- 作者：杨俊;刘洪涛;谷勋; 来源期刊：半导体技术 年卷号：2016,41(12):929-932
- 摘要：研究了使用不同研磨液的Cu CMP工艺对超低介电常数(ULK)薄膜介电常数k值的影响。实验结果表明经过Cu CMP工艺,ULK薄膜的介电常数k均有不同程度的增加。XPS成分分析结果表明,ULK薄膜表面C含量的增加是造成介电常数k值升高的主要
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- 基于倒装应用的单刀双掷开关MMIC设计
- 作者：高显;何庆国;白银超;王凯; 来源期刊：半导体技术 年卷号：2016,41(12):899-905+958
- 摘要：基于GaAs PHEMT ED25B与薄膜工艺设计了基于倒装应用的DC~26 GHz的单刀双掷(SPDT)开关。首先对倒装芯片与传统的正装芯片进行比较,倒装芯片MMIC技术具有明显的优势;然后对比了不同倒装情况对芯片性能的影响进而提出对倒装
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- 基于低压CMOS工艺的新型负电压型电荷泵电路
- 作者：罗志聪;黄世震;叶大鹏; 来源期刊：半导体技术 年卷号：2016,41(12):894-898
- 摘要：采用UMC 0.18μm 1.8 V/3.3 V CMOS工艺设计并流片验证了一个应用于生医刺激器的新型负电压型电荷泵电路。介绍了几种典型的负电压型电荷泵电路,比较其优缺点,在此基础上设计了一个新型4级交叉耦合型负电压电荷泵。和现有的结构相
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- 基于环境微弱能量收集的低阈值CMOS电路设计
- 作者：潘祎雯;白雪;赵文祥;徐雷钧; 来源期刊：半导体技术 年卷号：2016,41(12):889-893
- 摘要：环境中存在着丰富的电磁波能量,而人体运动产生的机械能则是一种不受外界干扰非常稳定的能源,这些能源的存在使设备为自身供电成为可能。由于射频电磁波能量和振动能量密度低的特性,设计了一种能够匹配低功耗低电压的复合能量收集与管理电路。该电路采用0.
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