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| - 一种GaN FET开关用高压高速驱动器的设计与实现
- 作者：王子青;廖斌; 来源期刊：半导体技术 年卷号：2016,41(09):674-678
- 摘要：设计了一种GaN场效应晶体管(FET)开关用高压高速驱动器电路,该电路集成了TTL输入级、高压电平转换级及大功率输出级电路,其主要功能是对输入的TTL信号进行电平转换,输出0 V/负高压信号。输入级采用施密特结构实现输入兼容TTL信号的同时
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- ATCXO数字数据修调电路设计
- 作者：董紫淼;梁科;林长龙;李国峰; 来源期刊：半导体技术 年卷号：2016,41(09):658-663
- 摘要：采用金属氧化物半导体场效应晶体(MOSFET)管搭建门电路的方法设计了一款新型的数据修调控制电路,其主要功能是准确控制高精度温度补偿型石英晶体谐振器专用芯片的修调电路部分。该修调控制电路采用串行外设接口(SPI)传输协议进行数据传输,并采用
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- 一种新型封装材料的热耗散能力分析与验证
- 作者：刘林杰;崔朝探;高岭; 来源期刊：半导体技术 年卷号：2016,41(08):631-635
- 摘要：随着器件功率密度的不断提升,散热问题已成为微电子器件封装失效的主要原因之一。金刚石/铜(CuC)复合材料具有较高的热导率,可作为新一代散热材料应用于高功率密度器件的封装中。本文采用有限元分析(FEA)的方法对比了一款功耗为70 W的Ga N
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- 1T’-MoTe_2原位生长关键工艺技术
- 作者：熊丝纬;孙清清; 来源期刊：半导体技术 年卷号：2016,41(08):625-630
- 摘要：二元过渡金属硫族化合物碲化钼(MoTe_2),由于其室温下合适的禁带宽度和较高的理论迁移率,将作为沟道材料应用于下一代集成电路器件中,而受到普遍的关注。通过碲(Te)和钼(Mo)的原位固相反应,在真空环境中不同温度条件下退火得到1T’-Mo
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- 功率MMIC封装的热分析
- 作者：米多斌;王绍东;倪涛; 来源期刊：半导体技术 年卷号：2016,41(07):551-555
- 摘要：介绍了一种利用计算流体动力学分析软件和有限元法多物理场分析软件对功率微波单片集成电路(MMIC)封装进行电热及热力特性数值模拟的方法。首先对功率MMIC封装的热传导路径及等效热模型进行了简化分析,基于简化模型对影响热分布和热传导的因素进行分
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