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| - A new curvature compensation technique for CMOS vo...
- 作者：李雪民;叶茂;赵公元;张赟;赵毅强; 来源期刊：Journal of Semiconductors 年卷号：2016,37(05):101-107
- 摘要：A new mixed curvature compensation technique for CMOS voltage reference is presented, which resorts to two sub-reference
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- 适用于1553总线协议的内建自测试实现
- 作者：印琴;朱晓宇;于宗光;蔡洁明; 来源期刊：微处理机 年卷号：2016,37(05):1-5
- 摘要：提出了一种适用于1553总线协议的内建自测试实现方法。该方法在传统协议处理器基础上,增加了用于存储测试向量的ROM、自测试逻辑电路及测试寄存器,能实现1553总线协议处理器的协议逻辑自测试、编解码自测试、RAM自测试,并将测试结果存储到内建
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- 针对电迁移失效的可靠性设计方法及应用
- 作者：孟菲;罗珏; 来源期刊：微处理机 年卷号：2016,37(04):8-11
- 摘要：随着集成电路产业的飞速发展,人们逐渐认识到集成电路的可靠性不但受到生产工艺的影响,也与其内在设计有着重要关联,因此,对可靠性设计进行研究有着重要的理论意义与实用价值,而在设计阶段考虑可靠性问题已逐渐成为提高集成电路可靠性的重要方法。首先介绍
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- 基于Verilog-A行为描述的反熔丝模型设计
- 作者：刘伟;曹中复; 来源期刊：微处理机 年卷号：2016,37(04):5-7+11
- 摘要：反熔丝型器件电路包含大量反熔丝单元,而工艺厂不提供反熔丝模型,因此急需建立反熔丝行为级仿真模型。通用的Verilog行为级模型无法体现反熔丝型器件的性能特点,无法满足反熔丝型器件设计要求。通过对反熔丝电学特性分析,建立了基于Verilog和
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- 椭球粒子受光诱导介电泳的数值模型
- 作者：胡晟;赵勇;胡海峰; 来源期刊：东北大学学报(自然科学版) 年卷号：2016,37(04):457-460+466
- 摘要：基于分子动力学提出了一种光诱导介电泳控制椭球粒子运动的数值模型.研究了光电芯片中椭球粒子承受的光诱导介电泳和斯托克斯阻力,采用Runge-Kutta方法计算不同长宽比粒子的自转速度.采用COM SOL有限元计算电场,借助Velocity-V
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