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  • 小尺寸器件的金属栅平坦化新技术
  • 作者:赵治国;殷华湘;朱慧珑;张永奎;张严波;...    来源期刊:真空科学与技术学报    年卷号:2016,36(09):1030-1033
  • 摘要:随着高k金属栅工程在45 nm技术节点上的成功应用,该技术已成为亚30 nm以下技术节点不可缺少的关键模块化工程。同时,如何保证高k金属栅能够在集成过程中得到有效的平坦化,保证器件正常性能也成为了金属后栅工艺的关键技术之一。本文提出的的金属

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  • 微电子封装的热特性研究
  • 作者:严向峰;汪剑侠;    来源期刊:船电技术    年卷号:2016,36(08):41-43
  • 摘要:本文介绍了微电子封装的热特性参数,分析了封装对微电子热特性的影响,提出了优化封装热性能参数的方法。

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  • 军用印制板组装件的三防涂覆工艺
  • 作者:胡岚;    来源期刊:广东通信技术    年卷号:2016,36(07):69-71
  • 摘要:对军用印制板组装件进行三防涂覆,是简单有效,且应用最广泛的防潮、防霉、防盐雾工艺。文章结合工作实际,主要从印制板组装件的清洁、保护、涂覆时机、涂覆次数、涂覆要求等几个方面对三防涂覆工艺进行探讨和说明。

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  • 高速电路设计中过孔对信号完整性影响的研究
  • 作者:胡佳栋;李诚;曹喆;刘树彬;安琪;    来源期刊:核电子学与探测技术    年卷号:2016,36(06):596-601
  • 摘要:随着信号的频率越来越高,高速电路设计中过孔对信号完整性的影响越来越不可忽视,实测带过孔的PCB走线的S参数发现过孔对系统信号完整性有比较大的影响。通过ANSYS仿真软件及理论计算对此进行了研究,发现过孔对信号完整性的影响主要源于两方面:过孔

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  • 基于InP DHBT工艺的13 GHz 1_8量化降速电路
  • 作者:程伟;张有涛;李晓鹏;王元;常龙;谢俊领...    来源期刊:固体电子学研究与进展    年卷号:2016,36(06):521
  • 摘要:磷化铟双异质结双极型晶体管(InP DHBT)具有高截止频率、高击穿电压(相对Si及SiGe而言)及高器件一致性等优点,适合于超高速、大动态范围数模混合电路的研制,例如美国Keysight公司采样率高达160 GSa/s的数字示波器即采用I

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