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| - 无运放高阶温度补偿的基准电路设计
- 作者：陈忠学;唐杰;章国豪; 来源期刊：固体电子学研究与进展 年卷号：2016,36(02):159-164
- 摘要：基于带隙基准源的工作原理以及如何提高温度特性的思想,设计了一种无运算放大器且具有新型高阶温度补偿的带隙基准电路。通过对传统带隙基准电路结构的改进,提出一种新的高阶温度补偿方法。该电路在不使用运放的情况下,分别产生较为精准的正、负温度系数电流
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- CMOS高速低功耗LVDS驱动电路设计
- 作者：黄灿英;陈艳;沈放;吴敏; 来源期刊：固体电子学研究与进展 年卷号：2016,36(02):154-158
- 摘要：随着半导体技术的发展,芯片接口的数据传输率制约着芯片性能的提升,采用低压差分接口能够有效提升接口的数据传输率、降低接口功耗并抑制传输噪声。文中介绍了典型的低压差分接口电路及其工作原理,并在此基础上对低压差分接口电路进行了重新设计。设计的低压
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- 高深宽比的TSV制作与填充技术
- 作者：余成昇;许高斌;陈兴;马渊明;展明浩; 来源期刊：真空科学与技术学报 年卷号：2016,36(01):93-97
- 摘要：硅通孔技术是三维集成电路中堆叠芯片实现互连的一种新的技术解决方案。本文介绍了TSV的制作与填充技术,通过优化ICP刻蚀工艺,实现了上口尺寸14.41μm、下口尺寸8.83μm、深度331.0μm、深宽比大于20:1的高深宽比通孔的制作;利用
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- 0.5mm节距数模混合陶瓷封装外壳加工工艺研究
- 作者：唐利锋;庞学满;陈寰贝;李永彬;夏庆水;... 来源期刊：固体电子学研究与进展 年卷号：2016,36(01):83-86
- 摘要：采用多层高温共烧陶瓷工艺制作了外形尺寸为21.0mm×8.8mm×2.0mm、引线节距为0.5mm的数模混合集成电路封装外壳,研究了加工工艺对外壳性能的影响。结果表明,采用稳定生瓷片尺寸、精密制版、提高钨金属化浆料流变性、优化印刷参数设置等
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- 电源分配网络设计中一种新型的去耦电容选择方法
- 作者：彭大芹;许海啸; 来源期刊：广东通信技术 年卷号：2016,36(01):76-79
- 摘要：文章对高速电路中电源分配网络的去耦电容选择方法进行了研究。首先对PCB的电源分配网络(Power Delivery Network,PDN)设计进行了详细研究,详细分析了PDN的结构、模型以及去耦电容选择方法对PDN的重要性。然后对现在常用
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