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  • Heterogeneous integration of GaAs pHEMT and Si CMO...
  • 作者:吴立枢;赵岩;沈宏昌;张有涛;陈堂胜;    来源期刊:Chinese Physics B    年卷号:2016,25(06):498-503
  • 摘要:In this work,we demonstrate the technology of wafer-scale transistor-level heterogeneous integration of Ga As pseudomorp

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  • 一种低功耗SoC的动态时钟控制技术的应用
  • 作者:莫东杰;熊晓明;    来源期刊:中国集成电路    年卷号:2016,25(06):19-25+37
  • 摘要:本文设计实现了一种应用于低功耗SoC的动态时钟控制技术。该技术包括门控时钟、自适应动态频率调节和几种模式切换。并将该技术集成应用到基于open MSP430的低功耗微控制器中,仿真验证的实验结果表明,引入动态时钟控制单元的微控制器在满足工作

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  • Built-in ESD Protection for RFID Tag ICs
  • 作者:DING Yi;HU Jianguo;D...    来源期刊:Chinese Journal of Electronics    年卷号:2016,25(06):1058-1062
  • 摘要:The built-in Electro-Static discharge(ESD) protection circuits for Radio frequency identification(RFID) tag ICs are prop

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  • 底部引线式塑料封装(BLP)可靠性的最佳选择
  • 作者:杨建生;    来源期刊:中国集成电路    年卷号:2016,25(05):59-63+67
  • 摘要:选择铜合金引线框架,用于增强底部引线式塑料(BLP)封装的板上可靠性,由于铜与氧气的密切结合与封装可靠性密切关系,采用铜合金引线框架,需要封装可靠性的验证过程。实施一系列测试,目的是选择最佳的铜材料,找到粘附指标参数。试验结果表明铜合金引线

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  • A novel circuit design for complementary resistive...
  • 作者:王小平;陈林;沈轶;徐博文;    来源期刊:Chinese Physics B    年卷号:2016,25(05):465-473
  • 摘要:Recently, it has been demonstrated that memristors can be utilized as logic operations and memory elements. In this pape

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