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| - 薄外延CMOS芯片阱掺杂浓度与击穿电压的关系
- 作者：韩兆芳;谢达;乔艳敏; 来源期刊：电子与封装 年卷号：2016,16(08):37-40
- 摘要：CMOS电路由于寄生结构的影响,易于发生闩锁效应。主要通过流片实验测试验证,探讨了在外延厚度较薄的情况下阱掺杂浓度与击穿电压之间的关系。提出了在不改变外延厚度、保证芯片抗闩锁性能的前提下,提高CMOS器件击穿电压的方法。
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- 一种曲率补偿的高精度带隙基准源设计
- 作者：吕江萍;胡巧云; 来源期刊：电子与封装 年卷号：2016,16(08):34-36+40
- 摘要：基于CSMC 0.5μm CMOS工艺,设计了一种带曲率补偿的低温漂带隙基准源。采用折叠式共源共栅放大器反馈结构带隙基准源,利用晶体管的VBE与IC的温度特性产生T1n T补偿量,对传统的带隙基准进行曲率补偿。仿真结果表明,在5 V供电电压
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- 基于物理性质捕获循环肿瘤细胞的微流控芯片
- 作者：吕晓庆;陈红梅;耿照新; 来源期刊：科学技术与工程 年卷号：2016,16(08):176-180
- 摘要：为满足利用微流控技术实现芯片上循环肿瘤细胞捕获日益增长的需求,研制出基于肿瘤细胞尺寸和变形性进行分离的微流控芯片。基于细胞尺寸和变形性差异原理设计芯片,利用半导体加工技术制备出以玻璃和聚二甲基硅氧烷(PDMS)为材料的微流控芯片,使用8μm
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- Marvell推出全新ARMADA超大规模虚拟SoC系列
- 作者： 来源期刊：单片机与嵌入式系统应用 年卷号：2016,16(07):86-87
- 摘要：美满电子科技(Marvell)推出采用Marvell开创性的MoChi架构、并以ARM Cortex-A72为基础的片上系统(SoC)系列——Marvell ARMADA 7000及Marvell ARMADA 8000。Marvell的A
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- LTCC生瓷层压中腔体的形变评价及控制
- 作者：王运龙;刘建军;柳龙华;邱颖霞;王志勤; 来源期刊：电子与封装 年卷号：2016,16(07):5-9+17
- 摘要：以含有腔体结构的LTCC叠层生瓷为研究对象,介绍了腔体在层压形变的评价和控制方法。分析了LTCC空腔在层压时产生变形的主要影响因素。阐述了在生瓷表面上增加金属掩模板来控制腔体形变的叠层结构设计。有限元分析结果表明不锈钢掩模可使腔体边缘应变降
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