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| - 光互连模块关键位置焊后对准偏移分析
- 作者：邵良滨;黄春跃;黄伟;梁颖;李天明; 来源期刊：中国电子科学研究院学报 年卷号：2016,11(06):672-676
- 摘要：建立了光互连模块三维有限元分析模型,对其进行了再流焊温度载荷下的有限元分析,获取了光互连模块关键位置处垂直腔面发射激光器(VCSEL,Vertical Cavity Surface Emitting Laser)发光中心点与耦合元件耦合中心
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- 基于原子扩散的蓝宝石芯片键合技术研究
- 作者：吴亚林;王世宁;曹永海;王伟;史鑫; 来源期刊：中国电子科学研究院学报 年卷号：2016,11(02):178-181
- 摘要：本文基于原子扩散理论模型,试图介绍一种蓝宝石芯片直接键合技术,给出一定扩散距离下键合温度与键合时间的关系;开展了蓝宝石芯片键合的试验研究;初步制作了键合样品。经测试,键合强度达到0.5 MPa,验证了蓝宝石芯片直接键合的可行性。
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- 基于3D打印技术的新型宽阻带电磁带隙封装屏蔽盒
- 作者：周佳威;庄伟;唐万春;聂守平;施永荣;季... 来源期刊：中国科技论文 年卷号：2016,11(02):150-154
- 摘要：设计了一种基于3D打印技术的倒置蘑菇型电磁带隙(electromagnetic band-gap,EBG)封装屏蔽盒。该封装屏蔽盒能够有效抑制4.7~12.6GHz频率范围内的腔体噪声,与传统的金属柱型EBG封装屏蔽盒相比,所设计的倒置蘑菇
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- 异构三维片上网络布局优化的超图划分算法
- 作者：宋国治;张大坤;马杰超;涂遥;刘畅; 来源期刊：计算机科学与探索 年卷号：2016,10(06):811-821
- 摘要：片上网络作为一种将大量嵌入式内核集成到单个晶圆片上的可行性技术,与传统片上系统相比,更能应对未来需要更大规模集成内核的挑战,从而得到了更广泛的应用。然而,目前大多数对片上网络的研究是在规则的架构上进行的,即假定所有单元片面积相同,但是这种假
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- 带辅助电极的大偏转角MEMS芯片设计
- 作者：侯继东; 来源期刊：电子科学技术 年卷号：2016,03(05):549-552
- 摘要：本文对垂直梳齿结构应用于大偏转角的情况进行了回顾和分析,指出此类芯片可靠性方面先天性不足。提出一种带辅助电极的基于预置偏转角方法的新型芯片,该芯片不但工艺简单,而且采用商品SOI硅片,成本得以有效降低。由于辅助电极的引入,使芯片具有大偏转角
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