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| - 新型GLSI弱碱性铜抛光液稳定性研究
- 作者：腰彩红;牛新环;赵欣;王辰伟;刘玉岭; 来源期刊：半导体技术 年卷号：2017,42(12):913-917
- 摘要：随着极大规模集成电路(GLSI)技术节点逐渐降低至28 nm,多层铜布线化学机械抛光过程中弱碱性抛光液的稳定性成为人们研究的热点。以四乙基氢氧化铵作为pH调节剂,配制不同pH值的新型弱碱性抛光液,研究各组抛光液的pH值、粒径、Zeta电位以
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- Tri-Designer_一种面向片内云架构的IC设计平台
- 作者：陈越;刘彦隆;张刚; 来源期刊：火力与指挥控制 年卷号：2017,42(12):165-169
- 摘要：庞大的内部资源使集成电路(IC,Integrated Circuit)设计日益复杂,云计算作为一种网络上资源管理模式,可以引入到IC内部形成片内云架构。首先确立片内云IC架构的3个基本要素:构件化的IP核、片内网络和可定制的语义流程。然后建
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- 基于环形振荡器的TSV故障非接触测试方法
- 作者：尚玉玲;于浩;李春泉;谈敏; 来源期刊：半导体技术 年卷号：2017,42(11):870-875
- 摘要：为避免传统的探针检测对硅通孔(TSV)造成损伤的风险,提出了一种非损伤的TSV测试方法。用TSV作为负载,通过环形振荡器测量振荡周期。TSV缺陷造成电阻电容参数的变化,导致振荡周期的变化。通过测量这些变化可以检测TSV故障,同时对TSV故障
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- 新型碱性抛光液对300 mm TaN镀膜片CMP效果评估
- 作者：张文倩;刘玉岭;王辰伟;季军;杜义琛;韩... 来源期刊：半导体技术 年卷号：2017,42(11):844-849
- 摘要：TaN由于其良好的性能广泛用于布线铜与介质之间的阻挡层和黏附层。在对直径为300 mm的TaN镀膜片进行化学机械抛光(CMP)后,对比并分析了两种碱性抛光液对TaN去除速率、片内非均匀性、去除速率选择性和表面粗糙度的影响。结果表明,经过自主
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- 碱性铜精抛液中表面活性剂ADS对平坦化效果的影响
- 作者：王彦;王胜利;王辰伟;田胜骏;腰彩红;田... 来源期刊：半导体技术 年卷号：2017,42(11):838-843
- 摘要：研究了阴离子表面活性剂十二烷基硫酸铵(ADS)在弱碱性铜抛光液中对晶圆平坦化效果的影响。对不同质量分数的阴离子表面活性剂ADS下的抛光液表面张力、铜去除速率、抛光后铜膜的碟形坑高度、晶圆片内非均匀性和表面粗糙度进行了测试。实验结果表明,当阴
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