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| - 累积和与指数加权移动平均控制图在表面贴装技术中的应用及仿真
- 作者：孙丹妮;周娟;耿豪凯;桑愔愔;周莹菲; 来源期刊：机械制造 年卷号：2017,55(03):77-80
- 摘要：随着电子产品集成度不断提升,表面贴装技术(SMT)对检测小波动的要求越来越高,需要使用控制图加以检测。将累积和控制图与指数加权移动平均控制图应用在SMT生产工艺中,以提高小波动的检测能力。在实际测试中确认,所设计的方法可实现SMT中锡膏印刷
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- KIO_4基电解液中Cu_Ru电偶腐蚀的控制与分析
- 作者：韩丽楠;刘玉岭;王辰伟;张文倩;张凯;杜... 来源期刊：微纳电子技术 年卷号：2017,54(12):847-851
- 摘要：Ru作为14 nm及以下技术节点的铜互连极大规模集成电路(GLSI)的新型阻挡层材料,在化学机械平坦化(CMP)工艺中易与Cu发生电偶腐蚀,影响器件的稳定性。采用动电位扫描的电化学方法表征铜钌表面的电化学反应,进而分析研究KIO4溶液的pH
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- 基于螯合剂与活性剂的Cu-CMP清洗液对BTA去除的影响
- 作者：杨柳;刘玉岭;檀柏梅;高宝红;刘宜霖; 来源期刊：微纳电子技术 年卷号：2017,54(11):791-796
- 摘要：以螯合剂与活性剂为材料,利用难溶物质微弱电离平衡、螯合剂络合机理以及活性剂的铺展、润湿以及渗透作用,结合有机物结构相似相溶原理,研制新型碱性清洗液,用于有效去除Cu-CMP后的苯并三氮唑(BTA)。通过接触角测试、电化学实验以及原子力显微镜
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- 基于阴离子表面活性剂的铜CMP后清洗新型碱性清洗液
- 作者：刘宜霖;檀柏梅;高宝红;胡新星;路一泽; 来源期刊：微纳电子技术 年卷号：2017,54(11):781-786
- 摘要：铜布线化学机械抛光(CMP)后清洗的主要对象是CMP工艺后在铜表面的残留物,包括硅溶胶颗粒、金属离子与有机物残留。采用PVA刷洗的清洗方式对CMP后表面残留的硅溶胶颗粒与表面吸附的苯并三氮唑(BTA)的去除进行了实验研究。通过原子力显微镜(
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- 抛光垫使用寿命对铜CMP平均去除速率一致性的影响
- 作者：江自超;刘玉岭;王辰伟;张凯; 来源期刊：微纳电子技术 年卷号：2017,54(10):715-719
- 摘要：针对抛光垫的使用寿命对铜膜平均去除速率一致性的影响进行研究,同时采用实时表面形貌控制(RTPC)技术,对抛光过程中,铜膜表面形貌进行实时监控。实验结果表明:抛光垫的使用寿命对铜膜化学机械抛光(CMP)平均去除速率影响很大,使用前期(抛光垫使
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