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| - 基于BLF时钟的RFID低功耗数字基带设计
- 作者：乔丽萍;杨振宇;靳钊; 来源期刊：半导体技术 年卷号：2017,42(04):259-263+299
- 摘要：提出了一种符合ISO/IEC 18000-6C协议中关于时序规定的射频识别(RFID)无源标签芯片低功耗数字基带处理器的设计。基于采用模拟前端反向散射链路频率(BLF)时钟的方案,将BLF的二倍频设置为基带中的全局时钟,构建BLF和基带数据
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- 一种高精度快速响应欠压锁定电路设计
- 作者：员瑶;冯全源;邸志雄; 来源期刊：半导体技术 年卷号：2017,42(03):169-173
- 摘要：针对传统欠压锁定(UVLO)电路结构复杂和响应速度慢的问题,设计了一种高精度的快速响应欠压锁定电路。该电路整体均由CMOS管组成,结构简单且易于实现。采用电流模控制技术,随电源电压呈二次方曲线变化的自偏置电流控制阈值电压的产生,有效提高了电
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- 基于曲率补偿技术的带隙基准电路设计
- 作者：庞英俊;崔椿洪;陈昊; 来源期刊：半导体技术 年卷号：2017,42(02):97-102
- 摘要：提出了一种新的曲率补偿带隙基准电路,首先通过一个双差分输入放大器(DDIA)来产生一个绝对温度互补电压。然后通过这个电压与另一个DDIA对曲率补偿进行微调,得到一个高阶曲率补偿的带隙基准电压。采用0.5μm CMOS工艺技术对文中所设计的电
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- 一种在芯片测试阶段进行产品规格区分的方法
- 作者：阳莎;崔继锋;廖传钦;朱建德; 来源期刊：半导体技术 年卷号：2017,42(02):153-159
- 摘要：介绍了逻辑电路IC芯片的两项重要参数(性能和功耗)与芯片的通用电源短路测试参数之间的强相关性。从而在IC芯片的量产阶段,利用晶圆测试阶段的通用电源短路参数进行分类的方法,来区分出不同性能和功耗规格要求的产品。在此基础上,根据通用电源短路参数
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- 0.13μm嵌入式闪存金属互连短路失效分析与改进
- 作者：赵江;张雷;顾培楼;黄其煜; 来源期刊：半导体技术 年卷号：2017,42(02):139-144
- 摘要：研究了一种0.13μm嵌入式闪存产品量产中常见的由于后段主要金属层互连短路引起的闪存电路读取数值失效的案例。通过采用电学失效分析和物理失效分析,成功观察到了含Cu成分较高的θ相(Al2Cu)在阻挡层TiN与Al-Cu金属薄膜界面处析出,导致
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