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| - Ni-B_Ni-P焊盘结构对CBGA植球焊点性能的影响
- 作者：吕晓瑞;林鹏荣;姜学明;练滨浩;王勇;曹... 来源期刊：半导体技术 年卷号：2017,42(02):134-138+144
- 摘要：化学镀镍工艺因其无需掩膜、区域选择性好和非电镀等特点,被广泛应用于电子封装工业中的沉积工艺。研究了陶瓷球栅阵列(CBGA)封装中Ni-B/Ni-P焊盘镀层结构对焊点性能的影响。结果表明,高温老化过程中,焊点界面金属间化合物(IMC)厚度的增
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- 45nm芯片铜互连结构低k介质层热应力分析
- 作者：林琳;王珺;王磊;张文奇; 来源期刊：半导体技术 年卷号：2017,42(01):55-60
- 摘要：采用铜互连工艺的先进芯片在封装过程中,铜互连结构中比较脆弱的低介电常数(k)介质层,容易因受到较高的热机械应力而发生失效破坏,出现芯片封装交互作用(CPI)影响问题。采用有限元子模型的方法,整体模型中引入等效层简化微小结构,对45 nm工艺
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- 变频和脉冲跳变双模式控制电荷泵的建模和实现
- 作者：施明薇;李晴平;赵梦恋;陈明阳;刘胜; 来源期刊：半导体技术 年卷号：2017,42(01):10-16
- 摘要：提出了一种高性能电荷泵的建模和设计实现方法。为了实现在大的负载电流变化范围内具有高转换效率和低输出电压纹波,提出了变频模式(VFM)和脉冲跳变模式(PSM)双模式控制的电荷泵,并建立了相应的数学模型以方便设计参数的分析和选取。芯片采用TSM
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- 新型Cu_Ti_SiO_2碱性精抛液对TSV碟形坑和塌边的修正
- 作者：刘俊杰;刘玉岭;牛新环;王如; 来源期刊：稀有金属 年卷号：2017,41(12):1359-1368
- 摘要：研发了一种无氧化剂无抑制剂的新型碱性TSV精抛液,通过单因素实验确定FA/O Ⅰ型非离子表面活性剂和有机胺碱的体积分数,以使Cu/Ti/SiO_2的去除速率满足选择比。根据表面活性剂的优先吸附理论来降低碟形坑内部反应界面的能量,同时运用大分
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- 计算电磁学中的场路协同仿真方法综述
- 作者：张欢欢;姜立军;李平; 来源期刊：安徽大学学报(自然科学版) 年卷号：2017,41(04):3-9
- 摘要：随着集成电路的集成度和脉冲信号速度的提高,电路中的波效应越来越明显,单纯使用电路分析方法已不能满足精度要求,这种情况下必须对原问题分而治之.采用3维电磁场全波方法对封装与互连结构进行分析,采用电路分析方法对电路元件或电路模块进行分析,最后将
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