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| - Cu_Al引线键合界面金属间化合物生长过程的原位实验研究
- 作者：杨庆龄;陈奕仪;吴幸;沈国瑞;孙立涛; 来源期刊：物理学报 年卷号：2015,64(21):397-403
- 摘要：铜引线键合由于在价格、电导率和热导率等方面的优势有望取代传统的金引线键合,然而Cu/Al引线键合界面的金属间化合物(intermetallic compounds,IMC)的过量生长将增大接触电阻和降低键合强度,从而影响器件的性能和可靠性.
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- 非对称弯曲微流道中粒子惯性聚焦动态过程及流速调控机理研究
- 作者：唐文来;项楠;张鑫杰;黄笛;倪中华; 来源期刊：物理学报 年卷号：2015,64(18):391-401
- 摘要：设计制作了一种具有非对称弯曲微流道结构的微流控芯片,搭建实验平台定量表征聚苯乙烯粒子和血细胞沿流道的动态惯性聚焦过程,并系统研究了流体流速和粒子尺寸对粒子聚焦特性的调控机理.通过分析粒子荧光图谱和对应量化强度曲线,将粒子沿流道长度的横向迁移
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- 面向纳米电路的改进型卷积核可制造性模型建模研究
- 作者：杨祎巍;张宏博;李斌; 来源期刊：物理学报 年卷号：2015,64(05):376-381
- 摘要：囿于材料和工艺稳定性等原因,纳米级集成电路制造依然基于193 nm激发光的工艺,光刻波长远大于版图尺寸,使得制造中光的干涉和衍射现象极大降低了分辨率,影响了芯片质量,因此版图在制造前需要使用可制造性模型进行查错.传统模型对制造过程进行物理建
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- 三维集成电路堆叠硅通孔动态功耗优化
- 作者：董刚;武文珊;杨银堂; 来源期刊：物理学报 年卷号：2015,64(02):353-359
- 摘要：三维集成电路堆叠硅通孔结构具有良好的温度和热特性.提出了一种协同考虑延时、面积与最小孔径的堆叠硅通孔动态功耗优化办法.在提取单根硅通孔寄生电学参数的基础上,分析了硅通孔的直径对多层硅通孔的功耗与延时性能的影响,由此构建了分层逐级缩减堆叠硅通
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- 智能卡脆弱性测试技术研究
- 作者：田晓鹏;洪珂一; 来源期刊：信息安全与技术 年卷号：2015,6(11):63-66
- 摘要：各个测评机构在对智能卡产品实施脆弱性评估时,往往根据已有的脆弱性攻击方法或者工具进行测评,容易出现测评结果不一致、不全面的情况。论文结合传统产品的脆弱性评估方法,提出建立智能卡脆弱性测试平台。该平台旨在建立智能卡信息库,并在信息库的基础上建
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