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| - 一种有效去除CMP后铜表面CuO颗粒的清洗剂
- 作者：杨志欣;高宝红;王辰伟;孙鸣;孙铭斌;张... 来源期刊：微纳电子技术 年卷号：2015,52(01):64-68
- 摘要：在集成电路制造过程中,巨大规模集成电路(GLSI)多层铜布线片化学机械抛光(CMP)后铜线条表面会生成一些CuO颗粒,这些颗粒不仅对器件性能有很大危害,而且会降低器件可靠性。对CMP过程中CuO颗粒的产生机理进行了研究,针对CMP后铜表面所
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- 3D堆叠芯片硅通孔容错设计
- 作者：张玲;王伟征;梅军进; 来源期刊：计算机工程与应用 年卷号：2015,51(14):11-16
- 摘要：3D堆叠芯片采用硅通孔(Through-Silicon Vias,TSVs)技术垂直连接多个裸晶(die),具有较高的芯片性能和较低的互连损耗,引起工业界和学术界的广泛关注。随着3D芯片堆叠层数的增加,一个TSV小故障都可能导致成本的大幅度
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- 时延约束下快速门级双电压分配算法
- 作者：涂凤娥;夏银水;储著飞;王伦耀; 来源期刊：计算机工程与应用 年卷号：2015,51(11):201-205
- 摘要：针对门级电压分配算法速度慢的问题,提出了一种时延约束下基于门分组的双电压分配算法。通过门工作在低、高电压下的延时差与时延裕量的比较,将门分为高电压门组和低电压门组;针对违反时延约束的关键路径上的低电压门(称为关键低电压门),采用最小割法逐渐
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- 底部填充技术在印制电路板组装中的应用
- 作者：韦双;喻波; 来源期刊：现代工业经济和信息化 年卷号：2015,5(21):49-50
- 摘要：对常见用底部填充技术(毛细管底部填充技术、可贴片式热熔胶片填充技术、ACA与ACF技术、ESC技术)进行了详细介绍,阐述了底部填充技术的原理和工艺路线,并指出了各种技术的优劣所在,最后简单地概述了过底部填充的芯片的返修流程。
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- 贴片机抛料的主要原因分析及对策
- 作者：胡瑞忠; 来源期刊：现代工业经济和信息化 年卷号：2015,5(18):42-43+46
- 摘要：通过对表面贴装生产过程中的抛料现象进行认真细致的分析,找出原因并加以解决,提高生产效率,减少占用机器生产时间。
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