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| - 基于40 nm CMOS工艺的毫米波注入锁定分频器
- 作者：张健;刘昱;王硕;李志强;陈延湖; 来源期刊：微电子学 年卷号：2015,45(06):755-759
- 摘要：设计了一款应用于60GHz频率综合器的二分频注入锁定分频器。通过优化射频注入和直流偏置网络,降低了注入信号损耗,提高了注入效率;通过优化注入管和交叉管尺寸、减小寄生电容、降低振荡摆幅,提高了注入效率,降低了功耗;电磁仿真毫米波段电感,建立集
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- SOI SiGe HBT集电结渡越时间模型研究
- 作者：徐小波;王晓艳;李艳波;胡辉勇;葛建华; 来源期刊：微电子学 年卷号：2015,45(05):681-684
- 摘要：根据器件实际工作情况,找出SOI器件与传统器件的不同,建立并研究了SOI SiGe HBT集电结渡越时间模型。结果表明,模型与集电区掺杂浓度、集电结偏置电压、传输电流有关,电流的增加恶化了渡越时间,进一步恶化了器件性能。所建模型与仿真结果一
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- 一种含LDE效应的深亚微米电路设计流程
- 作者：冯光涛;陈先敏;杨家奇; 来源期刊：微电子学 年卷号：2015,45(05):670-672
- 摘要：介绍了一种包含LDE效应的深亚微米电路设计流程。分析了100nm以下工艺节点LDE效应对器件的影响,以及传统集成电路设计方法的局限性。在此基础上,提出了包含LDE效应的电路设计方法,并通过中芯国际先进工艺节点的模拟电路设计实例进行了验证。结
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- 一种新型的抑制地线反弹噪声的Tri-Mode MTCMOS电路结构
- 作者：杨文荣;吴浩;薛力升;朱赛飞; 来源期刊：微电子学 年卷号：2015,45(05):657-660+665
- 摘要：提出了一种新型的MTCMOS电路结构。该结构在Tri-Mode MTCMOS电路基础上,结合叠加门控技术,进行电路结构改进,解决了Tri-Mode MTCMOS电路结构在高电压情况下抑制地线反弹噪声效果不明显的问题。电路采用SMIC 0.1
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- 一种高灵敏度过温保护电路的设计
- 作者：宋德夫;邓联文;廖聪维;黄克涛;彭峰;杨... 来源期刊：微电子学 年卷号：2015,45(05):652-656
- 摘要：提出了一种应用于LED驱动器的过温保护电路。该电路的温度检测模块通过调节电流镜两条支路上的电阻比值来提高温度系数,输出级采用共源共栅结构,具有温度系数高、受工艺参数变化影响小、电压稳定好等优点。基于CSMC 0.5μm CMOS工艺,采用H
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