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| - 一种自恢复容SEU锁存器的设计
- 作者：吴悠然;梁华国;王志;闫爱斌;黄正峰; 来源期刊：微电子学 年卷号：2015,45(05):643-648
- 摘要：随着集成电路工艺水平的不断提高、器件尺寸的不断缩小以及电源的不断降低,传统的锁存器越发容易受到由辐射效应引起的软错误影响。为了增强锁存器的可靠性,提出了一种适用于低功耗电路的自恢复SEU加固锁存器。该锁存器由传输门、反馈冗余单元和保护门C单
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- 用于安全芯片的低功耗可见光检测器
- 作者：杨亚楠;王健;陈力颖; 来源期刊：微电子学 年卷号：2015,45(05):639-642+648
- 摘要：设计了一种用于安全芯片的可见光检测器,其主要部分是感光器件。利用Silvaco公司的器件仿真工具ATLAS软件,对器件进行建模和仿真。结果表明,该器件在可见光波长(400~1 100nm)范围内,具有很好的响应度和瞬态响应时间。检测器可集成
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- 一种高线性度非对称单刀双掷开关的设计
- 作者：王亦凡;桂小琰;王兴华;陈志铭; 来源期刊：微电子学 年卷号：2015,45(05):634-638
- 摘要：介绍了一种用于射频收发系统的16GHz、低损耗、高隔离度、高线性度的非对称型单刀双掷开关。针对串联和并联晶体管尺寸对插入损耗及隔离度的影响、对称型和非对称型两种结构各自的特点,以及选择非对称结构的原因进行了分析。采用90nm CMOS工艺实
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- 一种用于助听器SoC的上电复位及欠压检测电路
- 作者：陈铖颖;陈黎明;范军;胡晓宇;黑勇; 来源期刊：微电子学 年卷号：2015,45(05):607-610+614
- 摘要：设计了一种用于助听器SoC的上电复位及欠压检测电路。该电路包括输入级电路、8位逐次逼近模数转换器、片上振荡器、低压差线性稳压器和数字逻辑电路。电路采用SMIC 0.13μm1P8M CMOS工艺实现,后仿真结果表明,在1V电源电压下,电路能
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- 一种高增益交叉耦合电荷泵的设计
- 作者：姜凯;张瑛; 来源期刊：微电子学 年卷号：2015,45(05):599-601+606
- 摘要：针对传统电荷泵的阈值损耗与体效应问题,提出了一种采用两相非交叠时钟的高增益交叉耦合电荷泵。该电荷泵不受阈值压降、体效应等因素影响,开关管导通电阻较小,因而具有较高的电压增益与效率。电路采用SMIC 0.18μm CMOS工艺设计与仿真,结果
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