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| - 一种有效实现IC时序收敛的方法
- 作者：祝雪菲;张万荣;万培元;林平分;王成龙;... 来源期刊：微电子学 年卷号：2015,45(04):474-478+483
- 摘要：针对ASIC芯片物理设计中传统时钟树综合在高频下难以满足时序收敛的问题,提出了一种自下而上与有用时钟偏移相结合的时钟树综合方法。基于TSMC 0.152μm Logic 1P5M工艺,使用Synopsys公司的IC Compiler物理设计
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- 一种电流型非线性补偿带隙基准的设计
- 作者：徐鹏程;尹桂珠;韩志刚; 来源期刊：微电子学 年卷号：2015,45(04):444-448
- 摘要：设计了一种基于CMOS电流型的带隙基准电路。利用双极型晶体管基极-发射极电压的非线性,对传统带隙基准电路存在的非线性项进行补偿。采用轨到轨的运算放大器,增大了运放的输入范围。电路基于CSMC 0.5μm工艺设计,采用Spectre软件进行仿
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- 基于90nm CMOS工艺的37GHz分频器
- 作者：安鹏;陈志铭;桂小琰; 来源期刊：微电子学 年卷号：2015,45(04):441-443+448
- 摘要：对高速分频器的注入锁定特性进行了研究,并实现了一个基于电流模逻辑的分频器。该分频器采用了电感峰值技术,分频范围可达25~37.3GHz,电源电压为1.2V,功耗为24mW。芯片采用TSMC 90nm CMOS工艺设计制造,并给出了测试结果。
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- 一种基于全差分积分器的时钟稳定电路设计
- 作者：罗凯;朱璨;胡刚毅; 来源期刊：微电子学 年卷号：2015,45(04):437-440
- 摘要：设计了一种用于超高速A/D转换器的时钟稳定电路。利用全差分连续时间积分器将差分时钟信号的占空比量化为电压信号,再通过跨导放大器产生控制电流来调整输出时钟的共模电平,达到调整输出时钟占空比的目的。电路采用0.18μm标准CMOS工艺进行设计,
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- 一种高电源抑制比的全MOS电压基准源设计
- 作者：唐俊龙;肖正;周斌腾;谢海情; 来源期刊：微电子学 年卷号：2015,45(04):425-428
- 摘要：基于MOS管在亚阈值区、线性区和饱和区的不同导电特性,采用TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种全MOS结构的电压基准源。为了改进核心电路,通过设计并优化预抑制电路,使整个电路实现了高电源电压抑制比的输出电压。对电路进行仿真,当电
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