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| - 一种带曲率补偿的高精度带隙基准源设计
- 作者：张龙;冯全源;王丹; 来源期刊：微电子学 年卷号：2015,45(02):221-224
- 摘要：基于OKI 0.5μm BCD工艺,设计了一种带曲率补偿的低温漂带隙基准源。采用Brokaw带隙基准核心结构,引入一个高阶效应的电流,对基准进行补偿。结合基准核心电路产生的无温度系数电压,利用简单的电路实现基准电流源的产生。仿真结果表明,在
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- 百万门级系统芯片低功耗技术研究
- 作者：于宗光;杨兵;魏敬和;单悦尔;曹华锋; 来源期刊：微电子学 年卷号：2015,45(02):217-220+224
- 摘要：针对超大规模集成电路低功耗设计技术市场需求的迅速增大,提出了一种新的百万门级系统芯片低功耗设计流程,重点分析了芯片系统级、电路级、逻辑级与物理级四个不同的层次的低功耗设计方法,包括系统构架、时钟与功耗管理算法等低功耗关键技术。以某新型雷达S
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- 一种基于自偏置技术的低功耗锁相环设计
- 作者：范昊;黄鲁;胡腾飞; 来源期刊：微电子学 年卷号：2015,45(02):196-199
- 摘要：采用TSMC 0.13μm CMOS工艺,设计并实现了一种低功耗、具有固定的环路带宽与工作频率之比,以及良好相位噪声性能的自偏置锁相环(PLL)芯片电路。仿真结果表明,该PLL电路工作频率范围为200~800 MHz,在480MHz输出频率
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- 一种高精度CMOS库仑计的设计
- 作者：杨洁;曾云;杨艳军; 来源期刊：微电子学 年卷号：2015,45(02):188-191
- 摘要：针对移动电子设备对锂电池库仑计的特殊要求,基于上华0.5μm工艺,设计了一种电源电压范围为2.9~4.3V的CMOS库仑计。在电阻串实现分压方面,采用了短接到地和直接选择相结合的方法,使得分压精度更加线性化,能够实时、准确地反映电量。比较器
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- 基于C单元反馈回路的容SEU锁存器设计
- 作者：黄正峰;彭小飞;鲁迎春; 来源期刊：微电子学 年卷号：2015,45(02):178-183
- 摘要：随着电子技术的不断发展,集成电路的特征尺寸不断缩小,导致电路对宇宙高能粒子引发的单粒子翻转愈发敏感。提出了一种对单粒子翻转完全免疫的抗辐射加固锁存器。该锁存器利用具有过滤功能的C单元构建反馈回路,并在锁存器末端使用钟控C单元来阻塞传播至输出
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