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| - 一种片内电流模比较增强型上电复位电路
- 作者：李凡阳;杨涛; 来源期刊：微电子学 年卷号：2015,45(01):63-66+71
- 摘要：介绍了一种片内电流模比较增强型上电复位电路。与传统的片内上电复位电路相比,该上电复位电路避免了二极管复位电路复位信号不彻底和基准增强型上电复位电路较复杂的缺点,利用简单的二极管箝位模块、电流模比较模块和逻辑电平迟滞模块,增强了上电复位信号,
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- 一种分段式数控延迟线的设计
- 作者：万贤杰;刘军;付东兵; 来源期刊：微电子学 年卷号：2015,45(01):32-35
- 摘要：简要介绍了当前集成电路延迟调节的主流技术。针对工程应用,提出了一种分段式数控延迟线(DCDL)的设计方法,解决了延迟调节精度和调节范围之间的矛盾,具有面积小、线性度好和调节范围大等优点。基于0.18μm 1P5M CMOS工艺,对电路进行流
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- 14Gb_s高速串行接口发送端电路设计
- 作者：宋奕霖;王自强; 来源期刊：微电子学 年卷号：2015,45(01):26-31
- 摘要：介绍了一种采用SMIC 65nm CMOS LL工艺、工作在14Gb/s的高速串行接口发送端电路。该电路主要由多路复用器、时钟分布电路和连续时间线性均衡器组成。低速复用器由数字电路构成,节约了功耗;高速复用器采用电流型逻辑电路结构,提高了工
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- 交流信号对亚微米CMOS集成电路可靠性的影响
- 作者：黄炜;付晓君;刘凡;刘伦才; 来源期刊：微电子学 年卷号：2015,45(01):145-148
- 摘要：介绍了交流信号对亚微米CMOS集成电路可靠性的影响,重点分析了亚微米CMOS集成电路中交流应力下的热载流子效应、电迁移、栅氧化层介质击穿效应。通过与直流应力下器件可靠性的对比,分析交流信号与直流信号对亚微米CMOS集成电路可靠性影响的差异。
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- 基于TCAD的45nm CMOS器件温度特性模拟
- 作者：倪铭;余金山;马驰远; 来源期刊：微电子学 年卷号：2015,45(01):119-124
- 摘要：基于TCAD工具,在一定温度范围内,对45nm器件的电特性与性能稳定性是否能保持进行了建模和模拟验证。通过TCAD工具建立工具流,在300~400 K温度下,实现对45nm CMOS器件I-V特性的模拟,以观察器件在一定温度范围内的特性曲线
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