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| - 3D IC-TSV技术与可靠性研究
- 作者：贾国庆;林倩;陈善继; 来源期刊：电子技术应用 年卷号：2015,41(08):3-8
- 摘要：对三维(3 Dimension,3D)堆叠集成电路的硅通孔(Through Silicon Via,TSV)互连技术进行了详细的介绍,阐述了TSV的关键技术与工艺,比如对准、键合、晶圆减薄、通孔刻蚀、铜大马士革工艺等。着重对TSV可靠性分析
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- 面向缺陷集簇分布的CMOL电路容错映射算法
- 作者：苏蒙蒙;夏银水;储著飞; 来源期刊：计算机工程 年卷号：2015,41(08):244-251
- 摘要：为提高CMOS/纳米线/分子混合电路的成品率,提出一种基于分段蛇形编码的容错映射算法。根据纳米阵列缺陷分布的集簇性特点,给出缺陷整体分类方法。在阵列连通域的约束条件下对电路进行分段蛇形编码以避开缺陷单元,提高电路映射边的成功率,获得优化的初
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- 一种低功耗高安全双界面智能卡芯片的设计与实现
- 作者：张海峰;侯战斌;陈奎林; 来源期刊：电子技术应用 年卷号：2015,41(07):50-53
- 摘要：根据ISO/IEC7816和ISO/IEC 14443-A协议,完成基于CPU的、集接触和非接触接口为一体的低功耗高安全双界面智能卡芯片的设计实现及样品验证,实现了对芯片面积、速度和功耗之间较好的平衡。结果表明,在采用HHNEC 0.13μ
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- 基于混合遗传算法的去耦电容网络设计
- 作者：王保坡;杜劲松;田星;毕欣; 来源期刊：电子技术应用 年卷号：2015,41(07):146-149+153
- 摘要：结合基于目标阻抗的设计方法,将混合遗传算法应用于PDN(电源分配网络)的去耦电容网络设计,对所需去耦电容器的种类和数目进行优化计算,同时与标准遗传算法和传统设计方法进行对比,借助Cadence电源完整性仿真工具验证设计结果的有效性和合理性。
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- 一种高精度基准源电路
- 作者：董大伟; 来源期刊：电子技术应用 年卷号：2015,41(06):45-46+50
- 摘要：基于90 nm CMOS标准工艺,设计了一种低温漂的带隙基准源电路。一种结构新颖的温度曲率校正电路被采用,作为一级温度补偿电路的曲率校正电路。Hspice仿真结果表明:所设计电压源在温度-20℃~+120℃范围内,平均温度系数约为2.2 p
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