|
| - 砷化镓六位串并行驱动器芯片的研制
- 作者：赵子润;陈凤霞; 来源期刊：半导体技术 年卷号：2015,40(12):894-898
- 摘要：基于0.25μm砷化镓(GaAs)增强、耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D PHEMT)工艺,设计并实现了一种串并行驱动器芯片,该芯片应用直接耦合场效应晶体管逻辑结构(DCFL),实现了移位寄存器、锁存器、输出缓冲等数字逻辑电路单片集成。
-
- 近阈值标准单元库和其在传感网芯片中的应用
- 作者：孙忆南;刘勇攀;王智博;杨华中; 来源期刊：半导体技术 年卷号：2015,40(12):889-893+915
- 摘要：将电源电压降低到晶体管阈值电压附近可以有效提高数字电路的能效,而近阈值标准单元库是近阈值数字电路设计的基础。通过分析逻辑门间静态噪声容限的兼容性、逻辑门在宽电压范围下延时变化情况,并通过求解最大包问题等的相关算法,对现有的商用数字CMOS标
-
- 基于FPGA的RFID晶圆并行测试系统设计
- 作者：张慧雷;景为平; 来源期刊：半导体技术 年卷号：2015,40(11):866-871
- 摘要：针对高频射频识别(RFID)晶圆在中测(CP)阶段单通道串行测试效率低下的问题,设计了一种基于现场可编程门阵列(FPGA)的多通道并行测试系统以提高测试效率。鉴于RFID晶圆上没有集成天线,提出了一种新的基于探针技术的射频耦合式的晶圆检测方
-
- 卡盘转速及喷淋臂摆动方式对晶片腐蚀性能的影响
- 作者：刘伟;吴仪;刘效岩; 来源期刊：半导体技术 年卷号：2015,40(11):861-865+871
- 摘要：随着晶片尺寸的不断增大,精准控制单片湿法腐蚀速率及非均匀性变得越来越具有挑战性。主要研究了300 mm单片湿法腐蚀工艺过程中,喷射稀释氢氟酸时卡盘的旋转速度和喷淋臂摆动方式对晶片表面腐蚀性的影响。结果表明,随着卡盘旋转速度的增大,腐蚀速率从
-
- OBIRCH用于集成电路短路的背面失效定位
- 作者：陈选龙;刘丽媛;孙哲;李庆飒; 来源期刊：半导体技术 年卷号：2015,40(11):856-860
- 摘要：基于光束感生电阻变化(OBIRCH)的热激光激发定位技术广泛应用于半导体器件的失效分析,特别是大规模集成电路的短路失效定位。详细介绍了OBIRCH技术在芯片背面失效定位时的原理和方法,通过精密研磨、抛光等先进制样手段对失效样品进行开封、芯片
-
|