|
| - 一种电迁移测试失效时间判定方法
- 作者：钱燕妮;尹彬锋;周柯;于赫薇; 来源期刊：半导体技术 年卷号：2015,40(10):793-797
- 摘要：采用铜大马士革工艺制备了用于电迁移测试的样品,对电迁移测试过程中存在的两类电阻-时间(R-t)特征曲线进行了研究。研究发现采用固定电阻变化率作为失效判定标准所得的失效时间分布曲线不能真实地反映样品的实际寿命,而采用第一次阻值跳变点对应的时间
-
- WLCSP焊球直径对其剪切强度和失效模式的影响
- 作者：李潇;王珺; 来源期刊：半导体技术 年卷号：2015,40(10):789-792
- 摘要：为满足电子设备不断小型化与多功能化的需要,圆片级芯片尺寸封装(WLCSP)芯片上焊球的尺寸不断缩小,焊球直径达100μm。选用100,150,200,250和300μm SAC(SnAg-Cu)5种不同尺寸焊球的WLCSP芯片样品,经历相同
-
- 版图邻近效应的高精度标准单元波动检测电路
- 作者：胡心仪;林殷茵; 来源期刊：半导体技术 年卷号：2015,40(10):754-758
- 摘要：随着集成电路的发展,工艺尺寸进一步微缩,工艺波动导致的器件波动对电路性能以及可靠性的影响越来越严重。版图邻近效应就是先进工艺下影响工艺波动的重要因素。为了应对先进工艺下版图邻近效应(LPE)的影响,代工厂需要确立器件波动最小且最优标准单元版
-
- 标准单元电路-版图设计自动优化技术
- 作者：方山;吴玉平;陈岚;张学连;张琦; 来源期刊：半导体技术 年卷号：2015,40(10):744-748+782
- 摘要：提出了一种标准单元的电路-版图设计自动优化技术。根据目标电学性能等确定电路中器件的参数值,然后根据参数变化微调现有的标准单元版图,快速自动生成符合设计规则的新版图。该技术可从新版图中获取电路寄生参数,对电路的电学性能进行评估,进一步提高电路
-
- FeNi合金UBM圆片级封装焊点剪切力研究
- 作者：奚嘉;陈妙;肖斐;龙欣江;张黎;赖志明; 来源期刊：半导体技术 年卷号：2015,40(09):692-698
- 摘要：Fe Ni合金与无铅焊料反应速率低,生成的金属间化合物(IMC)较薄,有望作为圆片级封装(WLP)凸点下金属(UBM)层材料。对两种Fe Ni UBM以及一种Cu UBM圆片级封装样品进行回流、湿热以及预处理实验,并通过推球的方法,对其焊点
-
|