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| - 基于90nm工艺节点的MOSFET版图失配研究
- 作者：张雷鸣;刘博;张金灿; 来源期刊：半导体技术 年卷号：2015,40(07):499-506
- 摘要：研究了CMOS模拟集成电路的不同版图结构对电路性能的影响规律,探讨了不同版图结构对工艺波动的抑制作用。通过采用90 nm CMOS工艺设计了8种不同宽长比(W/L)的数模转换器(DAC),分别利用单栅与多指栅结构实现该DAC电流源输出驱动管
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- 小型化封装的四通道多功能电路
- 作者：贾玉伟;陈月盈;刘如青;王子青; 来源期刊：半导体技术 年卷号：2015,40(07):489-493
- 摘要：基于GaAsE/D赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺、多层陶瓷管壳工艺和芯片微组装工艺技术,设计并制作了一种微波小型化封装四通道多功能电路。该多功能电路集成了通道选择、6bit移相和4bit衰减等功能,由低噪声放大器(LNA)芯片、功
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- 由栅氧损伤引起闩锁效应的失效分析
- 作者：刘楠;刘大鹏;张辉;祝伟明; 来源期刊：半导体技术 年卷号：2015,40(06):468-472
- 摘要：随着MOS器件特征尺寸的缩小和栅氧化层厚度的减薄,栅氧损伤成为MOS集成电路在实际应用中的主要失效模式之一。闩锁是CMOS集成电路结构所固有的寄生效应,寄生的可控硅结构一旦被特定条件触发,会在电源与地之间形成大电流通路,导致整个器件失效。对
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- 集成电路封装级失效及其定位
- 作者：张蓬鹤;陈选龙;刘丽媛;林道谭;何胜宗; 来源期刊：半导体技术 年卷号：2015,40(06):455-459+477
- 摘要：失效分析中有许多类型的封装级失效。由于封装材料限制或者无损检测要求,无法从外观直接观察到失效点,需要借助于设备进行失效定位才能快速、准确地进行分析。总结了集成电路封装级失效的几种常见失效机理和失效原因,提出三种有效的分析手段和分析方法进行失
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- 宽温范围高温度稳定性曲率互补电压基准设计
- 作者：赵永瑞;吴洪江;卢东旭;田国平; 来源期刊：半导体技术 年卷号：2015,40(06):426-430
- 摘要：针对当前射频系统中电源管理芯片在宽温度范围下对带隙基准稳定性的较高要求,提出了一种新型互补带隙基准电路结构,通过将带隙基准与MOS弱反型区基准的温度系数曲率互补叠加,实现了极宽温度范围内带隙电压基准的高温度稳定性输出。采用0.35μm CM
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