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| - 一款阻抗自校正5Gbit_s大摆幅电压模发送器
- 作者：陈玉虎;周玉梅;张锋; 来源期刊：半导体技术 年卷号：2015,40(05):333-337+363
- 摘要：研究并设计了一款5 Gbit/s大摆幅电压模发送器,输出信号差分眼图高度可达1.2 V。工作在1.2 V电压下的输出驱动器由28个相同的子驱动器并联而成,且每个子驱动器都包含权重按照二进制关系递增的4个驱动单元,从而实现了去加重控制与阻抗校
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- 金属电迁移测试过程中的电介质击穿效应
- 作者：于赫薇;尹彬锋;周柯;钱燕妮; 来源期刊：半导体技术 年卷号：2015,40(04):314-318
- 摘要：金属互连电迁移有断路失效和短路失效两种常规失效模式,其中短路失效是由于发生了析出效应。目前对电迁移断路失效的研究较多,但是对于析出效应(短路失效)的研究较少。研究发现在金属电迁移析出效应监测过程中易产生两种电介质击穿效应,分别为在实验刚开始
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- 硅铝合金在微波模块电路封装中的应用
- 作者：陈以钢;田飞飞;邵登云;戴立强;祝超; 来源期刊：半导体技术 年卷号：2015,40(04):308-313
- 摘要：硅铝合金以其重量轻、高热导率以及可调节热膨胀系数(CTE)的优越综合性能,在电子产品特别是微波组件中得到越来越广泛的应用。利用ANSYS软件系统地对Si50Al合金和硬铝合金进行热和结构静力分析,结果表明Si50Al合金具有更好的力学性能。
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- 薄膜基板中填充孔工艺的研究
- 作者：王合利;史光华;王志会;常青松;徐达; 来源期刊：半导体技术 年卷号：2015,40(04):302-307
- 摘要：在微波混合电路和多芯片模块中,填充孔相比于传统电镀通孔在解决微波接地、芯片散热和微组装工艺问题等方面具有很大优势。利用填充孔工艺使微波电路的设计更加灵活;由于填充孔消除了组装时通孔溢出导电胶或焊料过多的现象,提高了组装工艺效率。对薄膜基板上
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- 新型同轴型混合碳纳米管填充的硅通孔
- 作者：王兴君;史凌峰; 来源期刊：半导体技术 年卷号：2015,40(04):294-301
- 摘要：针对碳纳米管填充的硅通孔(TSV)的信号传输性能优化问题,提出一种新型的基于同轴型混合碳纳米管填充的硅通孔结构。在内外层管束交界处的耦合电容的基础上,提出新型TSV结构的可变参数等效电路模型,并基于TSV在三种不同应用层次上的尺寸参数,通过
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