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| - 阱接触面积对PMOS单粒子瞬态脉冲宽度的影响
- 作者:刘蓉容;池雅庆;何益百;窦强; 来源期刊:计算机工程与科学 年卷号:2015,37(06):1053-1057
- 摘要:使用TCAD模拟工具分析了纳米工艺下阱接触面积对PMOS SET脉冲宽度的影响。结果表明,纳米工艺下,当存在脉冲窄化效应时,增加阱接触面积会导致SET脉冲变宽,这与传统的通过增加阱接触面积可抑制SET脉冲的观点正好相反。同时,还分析了不同入
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- 无线传感单元PCB的电磁骚扰研究
- 作者:王佼;田亮;孙佳伟; 来源期刊:黑龙江电力 年卷号:2015,37(05):420-424
- 摘要:依据电磁骚扰相关理论,对带屏蔽外壳的无线温度传感单元的PCB及其引脚处的电磁骚扰进行了仿真研究,得到了带屏蔽外壳模型的PCB及其引脚处的磁场强度和表面电流的分布情况,并提出了抑制电磁骚扰的措施,为无线传感单元在变电站电磁环境下的电磁兼容性研
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- FPCB补强机动态特性优化与精度分析
- 作者:梅领亮;林小夏;梅雪松; 来源期刊:机械强度 年卷号:2015,37(04):770-775
- 摘要:针对柔性电路板(FPCB)贴补强机的结构进行了动态特性计算与分析,发现补强机一阶、二阶固有频率偏低以及动态特性差等设计方面的问题,导致补强机平台变形量大、补强精度低下等现象发生。为此,根据有限元分析结果,对补强机的结构进行了优化和改进设计,
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- 测量高速电路板上升时间的自动测试系统设计
- 作者:刘向明;程金朋;金薇;陆春; 来源期刊:武汉工程大学学报 年卷号:2015,37(04):74-78
- 摘要:高速电路板的上升时间是衡量其性能优劣的一个重要参数,测量上升时间需要使用多台不同性质的仪器,才能完成信号的发送、数据采集、数据存储、分析波形等任务,采用传统人工控制仪器和手工抄录数据的方式,工作质量和工作效率不高,容易受人为因素影响,造成测
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- 介电电泳细胞分析芯片结构设计及实验研究
- 作者:顾雯雯; 来源期刊:西南大学学报(自然科学版) 年卷号:2015,37(04):158-163
- 摘要:为了研制高富集效率的介电电泳细胞分析芯片,首先从介电电泳力出发,推导了悬浮细胞所受的介电电泳力公式.通过对比常规微电极的电场强度,选择叉指式阵列微电极构建介电电泳芯片模型,对不同结构参数下微通道中的电场分布进行模拟,由此对芯片结构参数进行优
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