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| - 高亮度GaAlAs单异质结红光二极管
- 作者：罗宗铁 何胜夫 来源期刊：发光学报 年卷号：1993,14(4).-320-324
- 摘要：本文从工业生产角度对ＧａＡｌＡｓ单异质结红光二极管的芯片制作技术作了细致研究。设计出能同时生长多枚外延片的新结构生长舟，选择了合适的管芯参数与生长条件，制定出稳定重复的工艺流程。用本项技术制出的单异质结管芯，发光波长为６６０ｎｍ，平均亮度达到４．５ｍｃｄ／２０ｍＡ，最高亮度达６．２ｍｃｄ。
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- 蓝色波段发光和激光二极管的新进展
- 作者：宋登元 来源期刊：半导体光电 年卷号：1993,14(4).-311-318
- 摘要：文章在简要概述了几种适合制备短波长发光器件材料－ＳｉＣ，ＧａＮ和ＺｎＳｅ的晶体结构、掺杂性质及外延技术后，主要介绍了它们在制备蓝色波段发光和激光二极管的新进展。
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- 多孔硅的电致发光和发光二极管
- 作者：杨国伟 来源期刊：半导体光电 年卷号：1993,14(3).-250-255
- 摘要：
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- 非晶硅碳薄膜发光二极管发光的热致猝灭
- 作者：周亚训 陈培力 来源期刊：发光学报 年卷号：1993,14(2).-159-164
- 摘要：
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- 浅谈伏安法测二极管的特性
- 作者：孙新义 杨德甫 来源期刊：物理实验 年卷号：1993,13(6).-274-275
- 摘要：
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