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  • Xilinx凭借新型存储器、3D-on-3D和多处理SoC技术在16nm继续领先
  • 作者:    来源期刊:微型机与应用    年卷号:2015,34(04):89
  • 摘要:北京2015年2月25日——All Programmable技术和器件的全球领先企业赛灵思公司(NASDAQ:XLNX)今日宣布,其16 nm Ultra Scale+TM系列FPGA、3D IC和MPSo C凭借新型存储器、3D-on-3

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  • 基于CPU和DDR芯片的SiP封装可靠性研究
  • 作者:唐宇;廖小雨;骆少明;王克强;李国元;    来源期刊:电子元件与材料    年卷号:2015,34(04):79-83
  • 摘要:利用Abaqus有限元分析方法分析了温度循环条件下CPU和DDR双芯片SiP封装体的应力和应变分布。比较了相同的热载荷下模块尺寸以及粘结层和塑封体的材料属性对SiP封装体应力应变的影响。结果表明,底层芯片、粘结层和塑封体相接触的四个边角承受

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  • TSV的电磁-热-结构耦合分析研究
  • 作者:黄琼琼;尚玉玲;张明;李春泉;邝小乐;    来源期刊:电子元件与材料    年卷号:2015,34(04):74-78
  • 摘要:基于三场的控制方程建立了电磁场、热场及结构场耦合分析的数学模型,推导出其等效积分"弱"解形式,研究了TSV(Through Silicon Via,硅通孔技术)电磁-热-结构的多物理场耦合效应,分析了高斯脉冲加载条件下TSV的温度和等效应力

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  • Sn0.7Cu无铅焊点的电迁移失效模拟及优化分析
  • 作者:赵元虎;张元祥;许杨剑;梁利华;    来源期刊:电子元件与材料    年卷号:2015,34(04):59-63
  • 摘要:基于ANSYS有限元软件,综合考虑电子风力、温度梯度、应力梯度和原子密度梯度四种电迁移驱动机制,采用原子密度积分法(ADI)对倒装芯片球栅阵列封装(FCBGA)的Sn0.7Cu无铅焊点进行电迁移失效模拟。针对焊点直径、焊点高度、焊点下金属层

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  • 金层厚度对沉金PCB焊锡延展性及焊点可靠性的影响
  • 作者:李伏;李斌;    来源期刊:电镀与涂饰    年卷号:2015,34(04):196-200
  • 摘要:通过锡球延展性、常规可焊性、黑盘和焊盘拉脱强度测试验证了金层厚度对沉金(ENIG)印刷电路板(PCB)焊锡延展性的影响,并用扫描电镜评估了金属间化合物(IMC)。结果表明,金层越厚,焊锡延展性越好。但金层只起保护镍层的作用,沉金PCB焊点的

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