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| - 互补式金氧半(CMOS)集成电路的静电放电防护方法研究
- 作者：夏继军; 来源期刊：激光杂志 年卷号：2017,38(06):140-143
- 摘要：在纳米CMOS集成电路中,静电放电(ESD,electrostatic discharge)防护能力随着组件的尺寸缩减而大幅地降低,传统的ESD防护电路设计及方法已不堪使用,所以在纳米制程中ESD防护组件的防护电路设计必需更加以改良。本文针
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- Scalable wideband equivalent circuit model for sil...
- 作者：Hansheng Wang;Weilia... 来源期刊：Journal of Semiconductors 年卷号：2017,38(06):113-118
- 摘要：A scalable wideband equivalent circuit model of silicon-based on-chip transmission lines is presented in this paper alon
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- A new sensitivity model with blank space for layou...
- 作者：Junping Wang;Yao Wu;... 来源期刊：Journal of Semiconductors 年卷号：2017,38(06):106-112
- 摘要：As the technology scales advancing into the nanometer region,the concept of yield has become an increasingly important d
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- 60 V tolerance full symmetrical switch for battery...
- 作者：Qidong Zhang;Yintang... 来源期刊：Journal of Semiconductors 年卷号：2017,38(06):101-105
- 摘要：For stacked battery monitoring IC high speed and high precision voltage acquisition requirements,this paper introduces a
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- 一款深亚微米射频SoC芯片的后端设计与实现
- 作者：张志鹏;张超;刘铁锋; 来源期刊：微处理机 年卷号：2017,38(06):1-6
- 摘要：随着集成电路的发展,片上系统芯片(SoC)技术广泛应用于多种领域中,越来越多的射频、模拟、存储器模块集成到一块芯片中。SoC芯片后端设计面临尺寸特征小,芯片规模大,物理设计复杂程度高等问题。良好的芯片版图设计是集成电路实现和成功的基础之一。
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