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| - 面向多媒体特定应用的剖析和标注相结合MPSoC性能评估方法（英文）
- 作者：Kai HUANG;Xiao-xu ZH... 来源期刊：Journal of Zhejiang University-Science C 年卷号：2015,16(02):135-152
- 摘要：研究目的:性能估计已成为异构MPSo C设计中一个非常重要且具有挑战性的任务。在设计早期进行准确快速估计性能对于设计空间探索十分必要。本文采用GCC剖析技术和代码标注技术,结合MPSo C分层抽象概念,探讨逐层次完善的性能评估技术在MPSo
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- SiGe BiCMOS工艺集成技术研究
- 作者：李红征; 来源期刊：电子与封装 年卷号：2015,15(12):34-37
- 摘要：Si Ge(硅锗合金)Bi CMOS工艺集成技术,是在制造电路结构中的双极晶体管时,在硅基区材料中加入一定含量的锗,形成应变硅异质结构晶体管,以改善双极晶体管特性的一种硅基工艺集成技术。对硅锗合金Bi CMOS工艺的核心器件——锗硅异质结双
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- 高效率并行熔丝方案的设计
- 作者：曾祥峻; 来源期刊：电子与封装 年卷号：2015,15(12):16-19
- 摘要：随着集成电路的迅速发展,熔丝在电路设计中应用普遍,测试对熔丝的要求也越来越高,需要更好的准确度和更快的效率。熔丝可以修调的参数当然也取决于该熔丝在电路中的作用,输出电压、参考电压是最为常见的修调参数,此外如基准频率、电流等也都可以通过修调做
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- 全包封功率器件中大芯片表面分层的分析
- 作者：石海忠;缪小勇;何晓光; 来源期刊：电子与封装 年卷号：2015,15(12):1-2+42
- 摘要：全包封功率器件相对于半包封功率器件更容易达到安规要求,其需求出现了逐渐增加的趋势,但是全包封器件的分层问题一直困扰着业界。通过分层现状的调查,分析了分层存在的界面和产生原因,通过优化试验找到了解决分层最有效的措施是中大芯片表面缓冲层,从而使
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- 大腔体陶瓷封装外壳断裂强度分析与提高
- 作者：张金利; 来源期刊：电子与封装 年卷号：2015,15(11):5-9+13
- 摘要：大尺寸多腔体陶瓷封装外壳,多用于高密度集成电路芯片封装,对结构可靠性提出了严格要求。在恒定加速度实验中,陶瓷封装外壳的腔体圆角处易形成断裂破坏。在有限元计算应力集中分布的基础上,通过分析激光划切、模具落腔和热切切腔加工工艺过程中产生缺陷的状
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