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| - 离子镜质量分析器中弧形发散的抑制
- 中文摘要：一种带电粒子分析器设备，包括两个相对的离子镜，每个镜包括沿着轴线Z伸长的内部和外部电场限定电极系统，外部系统围绕内部，由此当电极系统被电偏压时，镜产生包括沿着Z的相对电场的电场； 以及至少一个弧形聚焦透镜，用于在带电粒子束绕轴Z旋转时限制带电粒子束在分析器内的弧形发散，该分析器还包括盘，该盘具有至少部分地横跨限定电...
- 申请日：2015-11-18 申请号：：US14945305
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- 加入反应性物质与质谱仪中的ICP源
- 中文摘要：本发明提供的方法电感耦合等离子体质谱(ICP-MS)，包括以下步骤 : 将至少一个包括至少一个试样物质，和至少一种活性物质，引入电感耦合等离子体源，使得至少一个分子加合物离子的至少一种活性物质的至少一个试样物质的形成；将所述至少一个分子加合物离子碰撞单元，其被设置在所述电感耦合等离子体源和至少一个质量分析器，将所述...
- 申请日：2015-11-17 申请号：：GB1520208
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- 质谱仪用强场光电离离子源
- 中文摘要：一种用于质谱仪的离子源，包括 : 抽真空室，其具有接收气态样品流出物流的内部； 脉冲宽度为150飞秒或更小的光脉冲源； 真空室的窗口，光脉冲通过该窗口进入真空室内部； 真空室内的一个或多个反射镜，设置成使得光脉冲从一个或多个反射镜中的每一个反射，使得反射脉冲聚焦在真空室内的流出物流内的一个或多个焦点区域； 以及一对...
- 申请日：2015-11-16 申请号：：US14942743
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- 蚀刻气体和干法刻蚀方法
- 中文摘要：本发明为[要]，六氟丙烯再使用干蚀刻，掩模蚀刻所述硅基材料提高。[解决方法]一种在半导体衬底上形成的氧化硅，氮化硅，氮氧化硅和硅基材料从所组成的组中选择的至少1物质，所述硅基材料上形成抗蚀剂图形作为掩模，刻蚀所述开口具有一个特定波长，所述刻蚀气体，纯化从六氟丙烯的质量纯度为超过99.5%，此外，所述刻蚀气体，用电感...
- 申请日：2015-11-16 申请号：：JP2015223569
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- 离子阱低质量数截止值串级质谱分析方法
- 中文摘要：本发明属于质谱分析测试技术领域，具体为离子阱低质量数截止值串级质谱分析方法。包括离子选择隔离、碰撞诱导解离和质量分析三个阶段。在碰撞诱导解离阶段，通过扫描数字方波电源的频率，从低频率向高频率进行线性扫描，并在实施过程中同时加载一定的激发方波电压，实现被分析母体离子的激发和解离，并可以检测到母体离子低质量数碎片离子产...
- 申请日：2015-11-13 申请号：：CN201510780678.0
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