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| - 在半导体处理系统中检测和量化自由基浓度的装置
- 中文摘要：本文公开的实施方式包括用于测量中性自由基浓度的处理工具。 在一个实施例中，处理工具包括处理室和流体耦合到处理室的中性自由基质谱(NRMS)分析器。 在实施方式中，NRMS分析仪包括流体耦合到处理室的第一室，其中第一室包括调制器，以及流体耦合到第一室的第二室，其中第二室是残余气体分析仪或质谱仪。 在一个实施例中，无阻...
- 申请日：2022-5-3 申请号：：US17735837
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- 一体式离子源腔体、一体式离子源和质谱仪
- 中文摘要：本实用新型公开了一种一体式离子源腔体，包括腔体本体，腔体本体的底部设有底孔，底孔内设有第一安装座，腔体本体的顶部设有顶孔，顶孔内设有安装板。本实用新型还公开了一种一体式离子源，包括如上的一体式离子源腔体，安装座上安装有离子源座，离子源座与安装板之间安装有离子通道。本实用新型还提出了一种质谱仪。通过在腔体本体的底部设...
- 申请日：2022-4-29 申请号：：CN202221024048.2
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- 一种基质辅助激光解析电离离子源
- 中文摘要：本实用新型涉及质谱分析技术领域，具体涉及一种基质辅助激光解析电离离子源，包括脱附激光、激光聚焦系统、离子牵引电极、样品靶、平移台与CCD相机，样品靶设置于平移台上，样品靶的上方设有质谱仪，脱附激光与CCD相机位于质谱仪两侧，激光聚焦系统位于脱附激光的出光侧，用于将激光聚焦后射入样品靶的表面；CCD相机用于拍摄激光和...
- 申请日：2022-4-29 申请号：：CN202221037620.9
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- 离子源腔体、离子源和质谱仪
- 中文摘要：本实用新型公开了一种离子源腔体，包括腔体本体，所述腔体本体的底部设有底孔、顶部设有顶孔，所述底孔的过流面积大于等于所述顶孔的过流面积。本实用新型还公开了一种离子源和质谱仪。本实用新型的离子源腔体，通过将底孔的过流面积设置为大于等于顶孔的过流面积，在抽真空时，可使位于腔体本体下方的真空腔室内的气体通过底孔及时排除，从...
- 申请日：2022-4-29 申请号：：CN202221024061.8
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- 离子源结构及质谱仪
- 中文摘要：本实用新型提供一种离子源结构及质谱仪，所述离子源结构包括：电透镜下座；电透镜上座，与电透镜下座相对同轴设置，电透镜上座与电透镜下座之间设置有贯穿二者的电透镜，且电透镜的两端分别凸出于电透镜上座和电透镜下座；以及引出筒，同轴设置于电透镜上座上，且引出筒与电透镜上座连接的一端罩设在电透镜外围。本实用新型通过对引出筒和电...
- 申请日：2022-4-29 申请号：：CN202221040708.6
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