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| 基于缺陷曲率对含有V_1～V_4空位(5,5)单壁碳纳米管[1+1]和[2+1]加成反应的第一性原理研究 |
| 作者：李磊;贾桂霄;王晓霞;吴铜伟;宋希文;安胜利;； 出处：化学学报. 2017,75(03):284-292 |
| 关键词：碳纳米管;空位;缺陷曲率;电子结构;加成反应性 |
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| 文章摘要：本工作使用GGA-PBE方法研究了H和O在含有V_1~V_4空位(5,5)单壁碳纳米管[1+1](H/[1+1])和[2+1](O/[2+1])加成反应的结合能、几何和电子结构.基于方向曲率理论提出的缺陷曲率包括原子曲率(KM-def)和键 |
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