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| 快速退火处理Au催化剂对β-Ga_2O_3纳米线阵列的影响 |
| 作者：曹轶森;邓金祥;崔敏;孔乐;陈亮;申震;； 出处：微纳电子技术. 2017,54(02):91-95 |
| 关键词：氧化镓;催化剂;纳米线阵列;光致发光;自陷激子 |
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| 文章摘要：利用化学气相沉积(CVD)法,以Au为催化剂,制备出了β-Ga_2O_3纳米线阵列。Au催化剂的密度和尺寸随快速退火处理温度的不同而改变。催化剂的形貌决定着β-Ga_2O_3纳米线阵列的形貌结构,并进一步影响其光致发光特性。X射线衍射分析显 |
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