广东省科技图书馆 | 咨询热线:020-37656531  
     
新材料 生物技术 环境科学 海洋科学 光机电技术 电子信息技术 交流平台
 
钇掺杂量和膜厚对HfO_2纳米薄膜相结构的影响
作者:杨喜锐;王雪霞;周大雨;徐进;闫泳;梁海龙;;    出处:功能材料. 2017,48(10):10154-10158

 
关键词:HfO2薄膜;相变;钇含量;膜厚;溶胶-凝胶
中文
 
文章摘要:二氧化铪(HfO_2)是广泛应用于微电子器件制备的电介质绝缘材料,其高介电系数四方相或立方相的稳定受掺杂元素含量和薄膜厚度的共同影响。采用纯水基溶胶-凝胶法在低阻硅基底上制备不同厚度的钇掺杂HfO_2薄膜,通过对薄膜晶相结构的X射线衍射分析
 
详细内容请点击全文下载...
全文下载
详细地址:广东省广州市越秀区先烈中路100号 邮编:510070
版权所有:广东省科技图书馆(建议分辨率1024*768以上) 粤ICP备05059360号
互动邮箱:stlib@stlib.cn; zhangrui@stlib.cn
部门博客:http://diglib.blog.sohu.com/