 |
| 锗基石墨烯应用研究获得新进展 |
| 编记：； 出处：中国科学院. 2015-03-27 |
| 国内新闻 |
| 中国科学院在锗基石墨烯应用研究中取得新进展。研究人员首次采用单侧氟化石墨烯作为锗基MOSFET 的栅介质/沟道界面钝化层，或将解决未来锗材料替代硅材料所面临的栅介质/沟道界面不稳定的难题。 |
| 详细内容请点击全文下载... |
| 全文下载 |
详细地址：广东省广州市越秀区先烈中路100号 邮编：510070
版权所有：广东省科技图书馆(建议分辨率1024*768以上) 粤ICP备05059360号
互动邮箱：stlib@stlib.cn; zhangrui@stlib.cn
部门博客：http://diglib.blog.sohu.com/